[发明专利]一种悬空碳纳米管阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201811274845.4 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109399612B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王雷;刘前;池宪念;孙连峰 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C01B32/168 | 分类号： | C01B32/168;C01B32/16 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 悬空 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种悬空碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，包括：
制备碳纳米管网状薄膜；
在基底上制备多个沿第一方向延伸的沟槽；
将所述碳纳米管网状薄膜放置于所述基底设置有所述沟槽的一侧；
采用激光光束辐照所述沟槽上的所述碳纳米管网薄膜，以形成悬空碳纳米管阵列；
其中，沿所述第一方向，所述激光光束的脉冲频率为第一预设值；沿垂直于所述第一方向，所述激光光束的脉冲频率为第二预设值；所述第一预设值大于所述第二预设值；
其中，所述激光光束为光栅扫描脉冲激光光束；所述第一预设值大于或等于1×105Hz，且小于或等于2×106Hz；所述第二预设值大于等于100Hz，且小于或等于1×104Hz；沿所述第一方向以及垂直于所述第一方向，所述激光光束的脉冲宽度均大于或等于500ns，且小于或等于5000ns。
2.根据权利要求1所述的悬空碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述制备碳纳米管网状薄膜，包括：
采用气相沉积法、溶液旋涂法或滴涂法制备碳纳米管网状薄膜。
3.根据权利要求1所述的悬空碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述基底的材料为氧化硅或氧化铪。
4.根据权利要求1所述的悬空碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述基底包括依次层叠设置的单晶硅层和氧化硅层；所述碳纳米管网状薄膜位于所述氧化硅层远离所述单晶硅层的一侧；
所述沟槽形成于所述氧化硅层中。
5.根据权利要求4所述的悬空碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，
所述单晶硅层的厚度大于或等于500μm；
所述氧化硅层的厚度大于或等于50nm。
6.根据权利要求4所述的悬空碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述沟槽的深度小于所述氧化硅层的厚度。
7.根据权利要求1所述的悬空碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，沿垂直于所述第一方向，所述沟槽的宽度大于或等于0.5μm，且小于或等于2μm。
8.根据权利要求1所述的悬空碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管网状薄膜的厚度大于或等于50nm，且小于或等于200nm。
9.根据权利要求1所述的悬空碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述激光光束的波长大于等于300nm，且小于等于550nm。
10.一种悬空碳纳米管阵列，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的悬空碳纳米管阵列的制备方法制备。
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