[发明专利]一种IGBT并联单元及IGBT压接结构

说明书

本发明提供了一种IGBT并联单元及IGBT压接结构，其中，IGBT并联单元包括：第一铝垫块，第二铝垫块，第三铝垫块，第一压接式IGBT以及第二压接式IGBT，三个铝垫块和两个压接式IGBT压接装配成所述IGBT并联单元；两个压接式IGBT间隔设置于三个铝垫块之间，设置于中间的第二铝垫块的两个连接面分别与第一压接式IGBT、第二压接式IGBT的集电极连接，所述第一压接式IGBT的发射极与第一铝垫块相贴连接，所述第二压接式IGBT的发射极与第三铝垫块相贴连接。压装结构紧凑，设计合理，轴心位置控制简单、易于操作、便于维护，能满足长期运行稳定性和可靠性要求、且成本低廉。本发明能推广大功率IGBT的应用，提高直流断路器的实用性，为直流断路器技术领域提供一种新的技术支持。

技术领域

本发明涉及电力技术，具体的讲是一种IGBT并联单元及IGBT压接结构。

背景技术

随着工业化的深入发展，对IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)的电流、电压及功耗等级提出了更高的要求。为满足大功率电路设计的需求，通常直接采用大功率等级的IGBT，或者采用功率等级较小的IGBT通过串并联使用；前者将大大增加产品成本和驱动电路的复杂性，后者因其市场货源充足、驱动功率低且驱动线路简单而受到广泛研究。因此，采用IGBT并联提高电流以满足工业要求，具有很大的实际应用价值。

在IGBT器件并联使用时，IGBT器件参数不一致、驱动信号不同步、电路布局不对称等因素都会造成流过并联IGBT器件的电流分配不均衡。均流不佳导致部分IGBT器件工作时过电流不足、而部分IGBT器件过载，大大降低IGBT器件的可靠性，导致设备输出效果不理想，甚至造成IGBT器件和装置损坏。

压接式IGBT的压接结构多用于IGBT串联压接，比较常见的压接方式主要有立式和卧式两种，压接方式的不同与IGBT串联压接单元的组成结构是有关系的。

IGBT的并联多是使用多个IGBT模块进行并联，没有压接式IGBT并联单元的压接结构。

发明内容

为了解决IGBT并联压接的问题，本发明实施例提供了一种IGBT并联单元，包括：第一铝垫块，第二铝垫块，第三铝垫块，第一压接式IGBT以及第二压接式IGBT，三个铝垫块和两个压接式IGBT压接装配成所述IGBT并联单元；其中，

两个压接式IGBT间隔设置于三个铝垫块之间，设置于中间的第二铝垫块的两个连接面分别与第一压接式IGBT、第二压接式IGBT的集电极连接，所述第一压接式IGBT的发射极与第一铝垫块相贴连接，所述第二压接式IGBT的发射极与第三铝垫块相贴连接，第一压接式IGBT与第二压接式IGBT并联。

本发明实施例中，并联单元还包括：两个IGBT驱动板，IGBT驱动通过驱动支架与第一铝垫块(第三铝垫块)固定，IGBT驱动板和压接式IGBT插接相连。

本发明实施例中，所述的设置于中间的第二铝垫块与所述两个压接式IGBT偏心连接。

同时，本发明还公开一种IGBT压接结构，包括：压紧装置，压接结构框架以及至少两个IGBT并联单元；IGBT并联单元之间设置绝缘垫块构成压接组串，IGBT并联单元并联连接，压紧装置设置于压接结构框架的一端，将完成压接的压接组串固定于压接结构框架；

所述的IGBT并联单元包括：第一铝垫块，第二铝垫块，第三铝垫块，第一压接式IGBT以及第二压接式IGBT，三个铝垫块和两个压接式IGBT压接装配成所述IGBT并联单元；其中，

两个压接式IGBT间隔设置于三个铝垫块之间，设置于中间的第二铝垫块的两个连接面分别与第一压接式IGBT、第二压接式IGBT的集电极连接，所述第一压接式IGBT的发射极与第一铝垫块相贴连接，所述第二压接式IGBT的发射极与第三铝垫块相贴连接，第一压接式IGBT与第二压接式IGBT并联。