[发明专利]固态存储装置的读取重试方法

权利要求书

1.一种固态存储装置的读取重试方法，该固态存储装置连接至一主机，且该固态存储装置包括一非易失性存储器，其特征在于，该读取重试方法包括下列步骤：

判断该非易失性存储器中的一指定读取区块是否遭遇到一特定失败模式；

于确认该指定读取区块遭遇到该特定失败模式时，进行对应该特定失败模式的一失败模式读取重试流程；

于该失败模式读取重试流程可获得一正确读取数据时，将该正确读取数据传递至该主机；以及

于该失败模式读取重试流程无法获得该正确读取数据时，回复该主机发生一读取失败；

其中，该特定失败模式包括一编程失败模式，该编程失败模式具有对应的一编程失败模式读取重试流程，该编程失败模式读取重试流程包括：直接进行一容错式磁盘阵列恢复程序；于该容错式磁盘阵列恢复程序可获得该正确读取数据时，将该正确读取数据传递至该主机；以及于该容错式磁盘阵列恢复程序无法获得该正确读取数据时，回复该主机发生该读取失败。

2.如权利要求1所述的固态存储装置的读取重试方法，其特征在于，其中对该非易失性存储器中的该指定读取区块进行一正常读取程序且确认无法读取成功时，判断该指定读取区块是否遭遇到该特定失败模式。

3.如权利要求1所述的固态存储装置的读取重试方法，其特征在于，其中该特定失败模式至少还包括：一读写温差过大失败模式、一重复读取失败模式与一数据保存失败模式。

4.如权利要求3所述的固态存储装置的读取重试方法，其特征在于，其中该读写温差过大失败模式具有对应的一读写温差过大失败模式读取重试流程，该读写温差过大失败模式读取重试流程包括：

判断该指定读取区块的一抹除次数；

当该抹除次数大于一临限值时，进行一读取电压校正程序或一软件解码程序；以及

当该抹除次数未大于该临限值时，进行一读取电压偏移解码程序、该读取电压校正程序或该软件解码程序。

5.如权利要求3所述的固态存储装置的读取重试方法，其特征在于，其中该数据保存失败模式具有对应的一数据保存失败模式读取重试流程，该数据保存失败模式读取重试流程包括：进行一读取电压偏移解码程序、一读取电压校正程序或一软件解码程序。

6.如权利要求3所述的固态存储装置的读取重试方法，其特征在于，其中该重复读取失败模式具有对应的一重复读取失败模式读取重试流程，该重复读取失败模式读取重试流程包括：进行一读取电压偏移解码程序、一读取电压校正程序、一容错式磁盘阵列恢复程序或一软件解码程序。

7.如权利要求1所述的固态存储装置的读取重试方法，其特征在于，还包括：于确认该指定读取区块未遭遇到该特定失败模式时，进行一正常读取重试流程，其中该正常读取重试流程包含：进行一电压偏移解码程序、一读取电压校正程序、一容错式磁盘阵列恢复程序以及一软件解码程序。