[发明专利]一种砷化镓刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811268905.1 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111106004A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李宗鑫 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 曾晨;周放 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 刻蚀 方法 | ||
1.一种砷化镓刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：
将砷化镓置于电化学反应池的电解液中，其中，所述电解液包括非氧化性酸、金属溴化物和水；
给电化学反应池中的电极通入预定电压，所述预定电压为电解液的pH值和金属溴化物的浓度在预定范围时保持预定刻蚀速率的电压。
2.根据权利要求1中所述的砷化镓刻蚀方法，其特征在于，所述方法还包括监测电解液的pH值和电解液中金属溴化物的浓度，以根据检测结果向电解液中加入非氧化性酸和金属溴化物，使得电解液的pH值和电解液中金属溴化物的浓度保持在预定范围。
3.根据权利要求1所述的砷化镓刻蚀方法，其特征在于，所述方法还包括获取电解液的pH值和电解液中金属溴化物的浓度；
根据电解液的pH值和电解液中金属溴化物的浓度确定刻蚀电压。
4.根据权利要求1所述的砷化镓刻蚀方法，其特征在于，所述预定电压为36V-72V。
5.根据权利要求1所述的砷化镓刻蚀方法，其特征在于，所述非氧化性酸为盐酸，所述金属溴化物为溴化铜。
6.根据权利要求1所述的砷化镓刻蚀方法，其特征在于，所述电解液的pH值为0.7-1。
7.根据权利要求1所述的砷化镓刻蚀方法，其特征在于，所述电解液中金属溴化物的浓度大于或等于130g/L。
8.根据权利要求7所述的砷化镓刻蚀方法，其特征在于，所述电解液中金属溴化物的浓度为140g/L-160g/L。
9.根据权利要求1所述的砷化镓刻蚀方法，其特征在于，所述电化学反应池中的阳极为铂电极，所述电化学反应池中的阴极为石墨电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
