[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法

说明书

一种背照式图像传感器及其形成方法，方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括隔离区，所述晶圆包括相对的晶圆正面和晶圆背面；从所述晶圆正面对所述晶圆进行第一离子注入，在所述晶圆的隔离区中形成第一隔离掺杂区；形成第一隔离掺杂区后，从所述晶圆背面减薄所述晶圆，晶圆背面至第一隔离掺杂区之间的最小距离大于零；减薄所述晶圆后，从所述晶圆背面对晶圆进行第二离子注入，在所述晶圆的隔离区中形成第二隔离掺杂区，晶圆正面至第二隔离掺杂区之间的最小距离大于零，第二隔离掺杂区与第一隔离掺杂区连接。所述方法提高了背照式图像传感器的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种背照式图像传感器及其形成方法。

背景技术

背照式图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。背照式图像传感器分为互补金属氧化物(CMOS)背照式图像传感器和电荷耦合器件(CCD)背照式图像传感器。CMOS背照式图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。因此，随着图像传感技术的发展，CMOS背照式图像传感器越来越多地取代CCD背照式图像传感器应用于各类电子产品中。目前，CMOS背照式图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。

CMOS背照式图像传感器包括前照式(FSI)背照式图像传感器和背照式(BSI)背照式图像传感器。在背照式背照式图像传感器中，光从背照式图像传感器的背面入射到背照式图像传感器中的感光二极管上，从而将光能转化为电能。

然而，现有的背照式图像传感器的性能有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种背照式图像传感器及其形成方法，以提高背照式图像传感器的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种背照式图像传感器的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括隔离区，所述晶圆包括相对的晶圆正面和晶圆背面；从所述晶圆正面对所述晶圆进行第一离子注入，在所述晶圆的隔离区中形成第一隔离掺杂区；形成第一隔离掺杂区后，从所述晶圆背面减薄所述晶圆，晶圆背面至第一隔离掺杂区之间的最小距离大于零；减薄所述晶圆后，从所述晶圆背面对晶圆进行第二离子注入，在所述晶圆的隔离区中形成第二隔离掺杂区，晶圆正面至第二隔离掺杂区之间的最小距离大于零，第二隔离掺杂区与第一隔离掺杂区连接。

可选的，所述第二隔离掺杂区的深度大于所述第一隔离掺杂区的深度。

可选的，所述第一隔离掺杂区与所述第二隔离掺杂区部分重叠；或者，所述第一隔离掺杂区与所述第二隔离掺杂区邻接。

可选的，所述第一隔离掺杂区和所述第二隔离掺杂区的导电类型均为P型。

可选的，还包括：在减薄所述晶圆之前，在所述晶圆的隔离区中形成第一隔离结构，第一隔离结构朝向所述晶圆正面；在减薄所述晶圆之后，在所述晶圆的隔离区中形成第二隔离结构，第二隔离结构朝向所述晶圆背面，所述第二隔离结构与第一隔离结构分立。

可选的，所述第一隔离结构被所述第一隔离掺杂区包围；所述第二隔离结构被所述第二隔离掺杂区包围。

可选的，形成所述第一隔离结构之后，形成第一隔离掺杂区；或者，形成第一隔离掺杂区后，形成所述第一隔离结构。

可选的，形成第二隔离掺杂区后，形成所述第二隔离结构；或者，形成所述第二隔离结构之后，形成第二隔离掺杂区。

可选的，所述第二隔离结构包括第二垫氧化层和第二填充层；形成第二隔离结构的方法包括：在所述晶圆的隔离区中形成第二凹槽，第二凹槽的开口朝向晶圆背面；在所述第二凹槽的内壁形成第二垫氧化层；形成第二垫氧化层后，在第二凹槽中形成位于第二垫氧化层上的传导层；形成所述传导层后，进行退火处理；进行所述退火处理后，去除所述传导层；去除所述传导层之后，在第二凹槽中形成位于第二垫氧化层表面的第二填充层。