[发明专利]基于石墨烯的半导体优化导热方法及结构在审
申请号: | 201811267780.0 | 申请日: | 2018-10-29 |
公开(公告)号: | CN109195320A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 李文华;宋伯炜;陈明政;金晓隽;范莹莹 | 申请(专利权)人: | 苏州全波通信技术股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H01L23/373;H01L23/367 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王毓理;王锡麟 |
地址: | 215500 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨烯 导热 散热 半导体 优化 半导体电路 半导体热源 金属散热器 薄片折叠 热扩散率 热量积聚 面接触 热导率 | ||
1.一种基于石墨烯的半导体优化导热方法,其特征在于,通过将单张石墨烯薄片设置于半导体热源和金属散热器之间且分别与之面接触从而实现优化散热;
所述的单张石墨烯薄片基于单层石墨加工而成,经折叠后得到至少两层结构。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的折叠,包括:U字形对折、C字形折叠。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的双层结构中设有垫片和/或导热板。
4.一种实现上述任一权利要求所述方法的结构,其特征在于,包括:带有单张石墨烯薄片的金属散热器,其中:单张石墨烯薄片分别与金属散热器以及设置于半导体上的导热板面接触;
所述的单张石墨烯薄片为单层结构、双层对折结构或多层对折结构。
5.根据权利要求4所述的结构,其特征是,所述的C字形的对折结构,其对折开口处位于半导体的边沿。
6.一种实现权利要求1~3所述方法的结构,其特征在于,包括:分设于两端电路板和功放管、设置于电路板和功放管和金属散热器之间的石墨烯薄片包覆的垫片以及位于垫片下的金属散热器。
7.根据权利要求6所述的结构,其特征是,所述的石墨烯薄片的中部设有开口且该开口位于电路板和功放管分界处。
8.根据上述任一权利要求所述的结构,其特征是,所述的垫片的左右两侧加工成圆弧形以防止石墨烯断裂。
9.根据权利要求6或7所述的结构,其特征是,当采用两块以上垫片时,垫片的上表面由单张石墨烯薄片铺设连成完整平面。
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