[发明专利]一种信号放大电路及毫米波信号放大电路

权利要求书

1.一种信号放大电路，其特征在于，包括信号放大模块和直流偏置生成模块；

其中，所述直流偏置生成模块用于提供第一偏置电压V1和第二偏置电压V2；

所述信号放大模块包括射频信号输入端RFin、射频信号输出端RFout、第一电压输入端VDD1、第一偏置电压输入端V1in和第二偏置电压输入端V2in，用于基于第一偏置电压输入端V1in输入的第一偏置电压V1和第二偏置电压输入端V2in输入的第二偏置电压V2对所述射频信号输入端RFin输入的射频信号进行低噪声放大，

其中，所述直流偏置生成模块包括第二电压输入端VDD2、与所述第一偏置电压输入端V1in连接的第一偏置电压V1输出端V1out、与所述第二偏置电压输入端V2in连接的第二偏置电压V2输出端V2out、第一偏置电压生成单元和第二偏置电压生成单元；

第一偏置电压生成单元与所述第二电压输入端VDD2和所述第一偏置电压V1输出端V1out连接；

第二偏置电压生成单元与所述第二电压输入端VDD2和所述第二偏置电压V2输出端V2out连接，

其中，所述第一偏置电压生成单元21包括第二电阻器R2、第三电阻器R3、第四电阻器R4和第三晶体管元件M3；

所述第二电阻器R2的第一端与第二电压输入端VDD2连接，第二端与所述第三电阻器R3的第一端和第四电阻器R4的第二端连接；

所述第三电阻器R3的第二端与第三晶体管元件M3的栅极和第一端连接；

所述第三晶体管元件M3的第二端接地Vcom；

所述第四电阻器R4的第一端与所述第一偏置电压V1输出端V1out连接；

所述第二偏置电压生成单元包括第五电阻器R5、第六电阻器R6、第七电阻器R7和第四晶体管元件M4；

所述第五电阻器R5的第一端与第二电压输入端VDD2连接，第二端与所述第六电阻器R6的第一端和第七电阻器R7的第一端连接；

所述第六电阻器R6的第二端与第四晶体管元件M4的栅极和第一端连接；

所述第四晶体管元件M4的第二端接地Vcom；

所述第七电阻器R7的第二端与所述第二偏置电压V2输出端V2out连接。

2.根据权利要求1所述的信号放大电路，其特征在于，所述信号放大模块包括第一晶体管元件M1、第二晶体管元件M2、信号放大单元和反馈单元；

所述第一晶体管元件M1的栅极与所述射频信号输入端RFin连接，其第一端与所述第二晶体管元件M2的第二端连接，其第二端接地Vcom；

所述第二晶体管元件M2的栅极与所述第二偏置电压输入端V2in连接，其第一端与所述信号放大单元和所述第一偏置电压输入端V1in分别连接；

所述信号放大单元与所述第一电压输入端和所述射频信号输出端RFout连接。

3.根据权利要求2所述的信号放大电路，其特征在于，所述信号放大单元包括第一电感器L1、第二电感器L2、第三电感器L3、第四电感器L4、第一电容器C1、第二电容器C2和第三电容器C3；

其中，所述第一电容器C1的第一端与所述第一电压输入端VDD1连接，第二端接地Vcom；

所述第一电感器L1的第一端与所述第一电压输入端VDD1连接，第二端与所述第二电感器L2的第一端和所述第二电容器C2的第一端分别连接；

所述第二电感器L2的第二端与所述反馈单元和所述第二晶体管元件M2的第一端分别连接；

所述第二电容器C2的第二端与所述第三电感器L3的第一端连接；

所述第三电感器L3的第二端与所述第四电感器L4的第一端和所述第三电容器C3的第一端连接；

所述第三电容器C3的第二端接地Vcom；

所述第四电感器L4的第二端与所述射频信号输出端RFout连接。

4.根据权利要求2所述的信号放大电路，其特征在于，所述反馈单元包括第一电阻器R1和第四电容器C4；

所述第一电阻器R1的第一端与所述第一偏置电压输入端V1in连接，第二端与所述第一晶体管元件M1的栅极连接；

所述第四电容器C4的第一端与所述第一偏置电压输入端V1in连接，第二端与所述信号放大单元和所述第二晶体管元件M2的第一端连接。