[发明专利]碳化硅复合陶瓷的制备方法、其制得的碳化硅复合陶瓷和应用以及陶瓷制品

权利要求书

1.一种碳化硅复合陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将混合原料浆料经喷雾造粒得到的粉体进行干压成型得到碳化硅复合陶瓷坯体，坯体在真空气氛下2000-2100℃烧结1-3h，得到碳化硅复合陶瓷；

混合原料浆料是混合原料加水研磨后得到的，混合原料包括质量百分比的如下组分：碳化硅60-85％、二硼化钛1-6％、碳化硼0.5-5％和粘结剂10-30％。

2.按照权利要求1所述的碳化硅复合陶瓷的制备方法，其特征在于，混合原料包括质量百分比的如下组分：碳化硅70-80％、二硼化钛2-5％、碳化硼1-3％和粘结剂12-22％。

3.按照权利要求1所述的碳化硅复合陶瓷的制备方法，其特征在于，所述碳化硅的粒径为0.4-1.0μm，优选为0.5-0.6μm；

优选地，所述二硼化钛的粒径为3-5μm，优选为3-4μm；

优选地，所述碳化硼的粒径为1.5-28μm，优选为1.5-10μm。

4.按照权利要求1所述的碳化硅复合陶瓷的制备方法，其特征在于，所述粘结剂包括酚醛树脂、聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇中的一种或几种，优选为酚醛树脂和聚乙烯吡咯烷酮的组合，或，酚醛树脂和聚乙烯醇的组合；

优选地，酚醛树脂和聚乙烯吡咯烷酮的质量比为(6-15)：(4-10)，或，酚醛树脂和聚乙烯醇的质量比为(6-15)：(4-10)。

5.按照权利要求1-4任一项所述的碳化硅复合陶瓷的制备方法，其特征在于，混合原料和水的质量比为1：(0.9-1.2)，优选为1：(1-1.1)；

优选地，喷雾造粒得到的粉体的含水率为0.7-1.0％。

6.按照权利要求1-4任一项所述的碳化硅复合陶瓷的制备方法，其特征在于，干压成型的工艺参数包括：压制压力为10-25MPa，保压时间为1-5min；

优选地，压制压力为12-20MPa，保压时间为1-3min。

7.按照权利要求1-4任一项所述的碳化硅复合陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)将混合原料加水研磨6-8h，得到混合原料浆料；混合原料包括质量百分比的如下组分：碳化硅60-85％、二硼化钛1-6％、碳化硼0.5-5％和粘结剂10-30％；混合原料和水的质量比为1：(0.9-1.2)；

(b)将混合原料浆料进行喷雾造粒，得到含水率为0.7-1.0％的粉体；

(c)将步骤(b)得到的粉体放入模具内在10-25MPa压力下进行干压成型，保压1-5min，得到碳化硅复合陶瓷坯体；

(d)将步骤(c)得到的坯体在40-80℃下干燥8-24h；

(e)将步骤(d)得到的坯体在真空气氛下2000-2100℃烧结1-3h，得到碳化硅复合陶瓷。

8.一种碳化硅复合陶瓷，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的碳化硅复合陶瓷的制备方法制备得到。

9.一种权利要求8所述的碳化硅复合陶瓷在防弹装甲领域中的应用。

10.一种陶瓷制品，其特征在于，采用权利要求8所述的碳化硅复合陶瓷制备得到；

优选地，所述陶瓷制品为防弹装备，优选为防弹拼接板。