[发明专利]射频装置及其电压产生电路有效

专利信息
申请号: 201811260922.0 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN110830065B 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 陈智圣;温明轩 申请(专利权)人: 立积电子股份有限公司
主分类号: H04B1/16 分类号: H04B1/16
代理公司: 上海市锦天城律师事务所 31273 代理人: 刘民选
地址: 中国台湾台北市内湖区*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 射频 装置 及其 电压 产生 电路
【权利要求书】:

1.一种射频装置,其特征在于,包括:

一电压产生电路,用以接收一射频信号,以及产生相关于该射频信号的至少一偏压电压;以及

一射频电路,用以接收该射频信号,以及耦接至该电压产生电路以接收所述至少一偏压电压,其中所述至少一偏压电压用以操作该射频电路的至少一射频传输路径的导通状态,其中该电压产生电路包括:

一整流电路,用以接收该射频信号,以及产生相关于该射频信号的至少一辅助电压;以及

一电压调整电路,耦接至该整流电路以接收所述至少一辅助电压,以及产生所述至少一偏压电压的一第一偏压电压或一第二偏压电压给该射频电路,其中该第一偏压电压与该第二偏压电压相关于所述至少一辅助电压;

其中所述电压调整电路依据多个控制信号与所述至少一辅助电压产生该第一偏压电压或该第二偏压电压给该射频电路;

其中所述电压调整电路将该些控制信号与所述至少一辅助电压中具有较高电压者输出给该射频电路作为该第一偏压电压或该第二偏压电压。

2.如权利要求1所述的射频装置,其特征在于,其中所述至少一辅助电压包括相关于该射频信号的一上半波成份的一上半波辅助电压或相关于该射频信号的一下半波成份的一下半波辅助电压。

3.如权利要求2所述的射频装置,其特征在于,其中该整流电路包括:

一第一电容,具有一第一端耦合该射频信号;

一二极管,具有一阳极耦接至该第一电容的一第二端,其中该二极管的一阴极耦接至一参考电压;

一电阻,具有一第一端耦接至该第一电容的该第二端,其中该电阻的一第二端提供该下半波辅助电压给该射频电路作为所述至少一偏压电压的一第三偏压电压;以及

一第二电容,具有一第一端耦接至该电阻的该第二端,其中该第二电容的一第二端耦接至该参考电压。

4.如权利要求2所述的射频装置,其特征在于,其中该整流电路包括:

一第一电容,具有一第一端耦合该射频信号;

一二极管,具有一阴极耦接至该第一电容的一第二端,其中该二极管的一阳极耦接至一参考电压;

一电阻,具有一第一端耦接至该第一电容的该第二端,其中该电阻的一第二端提供该上半波辅助电压给该电压调整电路;以及

一第二电容,具有一第一端耦接至该电阻的该第二端,其中该第二电容的一第二端耦接至该参考电压。

5.如权利要求1所述的射频装置,其特征在于,其中该电压调整电路包括:

一第一分压元件,具有一第一端耦接至该整流电路以接收所述至少一辅助电压;

一第二分压元件,具有一第一端接收该些控制信号中的一第一控制信号,其中该第二分压元件的一第二端耦接至该第一分压元件的一第二端;以及

一第三分压元件,具有一第一端接收该些控制信号中的一第二控制信号,其中该第三分压元件的一第二端耦接至该第一分压元件的该第二端;

其中该第一分压元件的该第二端提供该第二偏压电压给该射频电路。

6.如权利要求5所述的射频装置,其特征在于,其中该第一分压元件包括一第一电阻、一第一电阻串、一第一二极管或是一第一二极管串,该第二分压元件包括一第二电阻、一第二电阻串、一第二二极管或是一第二二极管串,以及该第三分压元件包括一第三电阻、一第三电阻串、一第三二极管或是一第三二极管串。

7.如权利要求1所述的射频装置,其特征在于,其中该电压调整电路包括:

一第一分压元件,具有一第一端耦接至该整流电路以接收所述至少一辅助电压,其中该第一分压元件的一第二端耦接至一分压节点,该分压节点提供该第一偏压电压给该射频电路;

一第二分压元件,具有一第一端接收该些控制信号中的一第一控制信号,其中该第二分压元件的一第二端耦接至该分压节点;

一第三分压元件,具有一第一端接收该些控制信号中的一第二控制信号,其中该第三分压元件的一第二端耦接至该分压节点;以及

一第四分压元件,具有一第一端耦接至该分压节点,其中该第四分压元件的一第二端耦接至一参考电压。

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