[发明专利]一种半导体器件结构的形成方法和焊盘结构

权利要求书

1.一种半导体器件结构的形成方法，包括：

提供金属层；

在所述金属层上形成保护层，在所述保护层形成开口以暴露出所述金属层的一部分，被暴露出的所述金属层部分作为焊盘；

在所述保护层靠近所述开口的侧壁形成斜面，所述斜面延伸面与所述金属层所在平面具有第一夹角；

其中，在形成所述开口的同时在所述保护层的开口区域周围形成若干孔洞，再通过热回流方法，使所述孔洞坍塌内缩，从而在所述开口的侧壁形成斜面；

在所述焊盘上形成焊球并向外延伸出引线。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述开口的长度和宽度范围为5-20um，所述孔洞的长度和宽度的范围为0.3-0.6um。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述金属层材料为铜、铝、钨或包含这三种金属元素中至少一种金属元素的合金。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述保护层包括钝化层和位于所述钝化层之上的隔离层；所述钝化层为硅的氧化物层和硅的氮化物层的组合，所述硅的氧化物层形成于所述金属层之上，所述硅的氮化物层形成于所述硅的氧化物层之上；所述隔离层为聚酰亚胺薄膜。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述焊球和所述引线的材料同为金、银或铝。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述第一夹角的角度范围为30-60度。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其中形成所述开口和所述孔洞的方法采用干法刻蚀。

8.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述热回流的方法采用加热温度范围为200度到400度。

9.一种焊盘结构，包括：

金属层；

保护层，位于所述金属层上并具有一开口以暴露出所述金属层的一部分，被暴露出的所述金属层部分作为焊盘；

其中，所述保护层靠近所述开口的周围区域具有若干孔洞。

10.根据权利要求9所述的焊盘结构，其中所述开口的长度和宽度范围为5-20um，所述孔洞的长度和宽度的范围为0.3-0.6um。

11.根据权利要求9所述的焊盘结构，其中所述金属层材料包含铜、铝、钨或包含这三种金属元素中至少一种金属元素的合金。

12.根据权利要求9所述的焊盘结构，其中所述保护层包括钝化层和位于所述钝化层之上的隔离层；所述钝化层为硅的氧化物层和硅的氮化物层的组合，所述硅的氧化物层位于所述金属层之上，所述硅的氮化物层位于所述硅的氧化物层之上；所述隔离层为聚酰亚胺薄膜。