[发明专利]OLED显示面板及其制作方法、OLED显示装置在审
申请号: | 201811259000.8 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN109494242A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 王一佳;曹君 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非显示区 显示区 挡墙 制作 环形挡墙 截面形状 曝光显影 压印步骤 顶面 基底 下凹 制备 | ||
1.一种OLED显示面板,包括
显示区;以及
非显示区,围绕所述显示区;
其特征在于,所述OLED显示面板还包括:
OLED基底;
至少一环形挡墙,突出于所述OLED基底一侧的表面;所述环形挡墙位于非显示区,且围绕所述显示区;以及
至少一凹槽,下凹于所述环形挡墙的顶面。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,
所述凹槽的截面形状包括且不限于梯形、弧形或者V字形,
所述环形挡墙由两个以上首尾相连的弯曲部或齿形部围成。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,
所述OLED基底一侧上依次制备有平坦化层、像素定义层、发光区以及薄膜封装层;
所述环形挡墙与所述平坦化层设于所述OLED基底的同一侧。
4.根据权利要求3所述的一种OLED显示面板,其特征在于,
所述薄膜封装层包括
至少两个无机层;以及
至少一有机层,设于任意两个相邻无机层之间的间隙内;
其中,每一有机层的两侧面分别制备至所述两个相邻无机层的一侧面;每一有机层被所述环形挡墙围绕。
5.一种OLED显示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
基底设置步骤,提供一OLED基底;
挡墙制备步骤,在所述OLED基底上表面制备至少一环形挡墙,位于非显示区,且围绕显示区;
曝光显影步骤,对所述环形挡墙进行紫外线光照处理及显影处理;
压印步骤,在所述环形挡墙的顶面压印出至少一凹槽。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,
在所述曝光显影步骤之后,还包括
显示区器件制备步骤,在所述OLED基底上依次制备平坦层、像素定义层以及发光区域,所述环形挡墙与所述平坦化层设于所述OLED基底的同一侧。
7.根据权利要求5所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,
在所述压印步骤之后,还包括
薄膜封装步骤,在所述OLED基底上依次制备两个以上无机层及至少一有机层,每一有机层设于任意两个相邻无机层之间。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,
所述薄膜封装步骤包括
无机层第一制备步骤,在一基底上表面制备一无机层;
有机层制备步骤,在所述无机层上表面制备一有机层;
无机层第二制备步骤,在所述有机层上表面制备另一无机层;
重复2~4次所述有机层制备步骤及所述无机层第二制备步骤;
其中,每一所述有机层被所述环形挡墙围绕。
9.根据权利要求5所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述环形挡墙的材料为派瑞林聚合物。
10.一种OLED显示装置,包括如权利要求1~4中任一项所述的OLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的