[发明专利]热管理和电磁干扰减轻组件及其使用方法、包括该组件的装置在审
| 申请号: | 201811257826.0 | 申请日: | 2018-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN109727957A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
| 发明(设计)人: | S·塔尔帕利卡尔 | 申请(专利权)人: | 莱尔德电子材料(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/367;H01L23/373;H05K9/00 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;李辉 |
| 地址: | 518103 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电磁干扰 热管理 壳体 内表面 柱脚 电磁干扰屏蔽 热界面材料 热传递 电子装置 机械联接 向下延伸 组件包括 冲压 拉拔 管理 制作 制造 | ||
热管理和电磁干扰减轻组件及其使用方法、包括该组件的装置。公开了用于电子装置的热传递/管理以及电磁干扰屏蔽/减轻解决方案、系统和/或组件的示例性实施方式。还公开了制作或制造(例如,冲压、拉拔等)热传递/管理以及电磁干扰屏蔽/减轻解决方案、系统和/或组件的部件的方法。热管理和电磁干扰减轻组件,该热管理和电磁干扰减轻组件包括:壳体,该壳体具有内表面;柱脚,该柱脚与所述壳体的该内表面机械联接并且相对于所述壳体的所述内表面向下延伸;以及热界面材料,该热界面材料沿着所述柱脚的底部。
技术领域
本公开涉及用于电子装置的热传递/管理以及电磁干扰(EMI)屏蔽/减轻解决方案、系统和/或组件。还公开了制作或制造(例如,冲压、拉拔等)热传递/管理以及EMI屏蔽/减轻解决方案、系统和/或组件的部件的方法。
背景技术
该部分提供与本公开相关的背景信息,其不一定是现有技术。
诸如半导体、集成电路封装、晶体管等的电部件通常具有其最佳工作的预设计温度。理想地,预设计温度接近于周围空气的温度。但电部件的工作生成热量。如果不去除该热量,那么电部件会在显著高于它们的正常或可期望工作温度的温度下工作。这种过高的温度可能不利地影响电部件的操作特性和关联装置的操作。
为了避免或至少减少由热量生成导致的不利工作特性,应去除热量,例如应通过从工作中的电部件向散热器传导热量。然后可以利用传统的对流和/或辐射技术来冷却散热器。在传导期间,热量可以利用电部件与散热器之间的直接表面接触和/或利用电部件和散热器表面借助中间介质或热界面材料(TIM)的接触从工作中的电部件传递到散热器。为了与间隙填充了作为较差热导体的空气相比提高热传递效率,可以使用热界面材料来填充热传递表面之间的间隙。
另外,电子装置工作时的常见问题是设备的电子电路内生成电磁辐射。这种辐射会导致电磁干扰(EMI)或射频干扰(RFI),该EMI或RFI会干扰一定距离内的其他电子装置的操作。在没有充分屏蔽的情况下,EMI/RFI干扰会引起重要信号的劣化或完全丢失,从而致使电子设备低效或不可操作。
减轻EMI/RFI影响的常见解决方案是通过使用能够吸收和/或反射和/或重定向EMI能量的屏蔽件。这些屏蔽件通常被采用来使EMI/RFI位于其源内,并且隔离邻近EMI/RFI源的其他装置。
本文所用的术语“EMI”应当被认为总体上包括并指EMI发射和RFI发射,并且术语“电磁”应当被认为通常包括并指来自外部源和内部源的电磁频率和射频。因此,(如这里所用的)术语屏蔽广泛地包括并指诸如通过吸收、反射、阻挡和/或重定向能量或其某一组合减轻(或限制)EMI和/或RFI,使得EMI和/或RFI例如对于电子部件系统的政府合规和/或内部功能不再干扰。
发明内容
本发明提供一种热管理和电磁干扰减轻组件,该热管理和电磁干扰减轻组件包括:壳体,该壳体具有内表面;柱脚,该柱脚与所述壳体的该内表面机械联接并且相对于所述壳体的所述内表面向下延伸;以及热界面材料,该热界面材料沿着所述柱脚的底部。
所述壳体被构造成被定位在热源上方,使得所述柱脚从所述壳体的所述内表面向着所述热源向下延伸,借此,沿着所述柱脚的所述底部的所述热界面材料能够被定位成与所述热源热接触,从而建立从所述热源到所述柱脚的导热通路。
所述壳体被构造成被定位在热源上方,使得所述柱脚从所述壳体的所述内表面向着所述热源向下延伸,借此,所述热界面材料能够在所述热源与所述柱脚之间被压缩,从而建立从所述热源到所述柱脚的导热通路。
所述热管理和电磁干扰减轻组件还包括一个或更多个激光焊接部,该一个或更多个激光焊接部将所述柱脚与所述壳体的所述内表面机械联接。
所述柱脚包括内表面,该内表面与所述壳体的所述内表面协作,以在所述柱脚的内表面与所述壳体的内表面之间一起限定内部空间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于莱尔德电子材料(深圳)有限公司,未经莱尔德电子材料(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811257826.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种测试结构、半导体器件
- 下一篇:扇出型半导体封装件





