[发明专利]传送方法及传送装置有效

专利信息
申请号: 201811257801.0 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN109817556B 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 苏正熹;魏宇晨;杨智渊;林世和;赖人杰 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 传送 方法 装置
【说明书】:

本公开部分实施例提供一种传送方法,适用于传送使用于一半导体制造中的一工件。上述传送方法包括移动一第一传送装置至一工件旁,使工件面向多个形成于第一传送装置的气孔。上述传送方法还包括经由自第一传送装置的气孔供应一气流,以利用第一传送装置以一非接触的方式悬浮工件。上述传送方法也包括在气流连续供应的同时利用第一传送装置传送工件。

技术领域

发明部分实施例涉及一种传送方法及一种传送装置,特别涉及一种在半导体装置制造中用于传送一工件的传送方法及传送装置。

背景技术

在半导体装置制造的加工过程中会不断地对待加工的工件执行搬运或传送的工作。一般而言,工件通过在预定路线或轨道上行进的自动导引车辆或高架运输车辆在制造工厂中传送。对于工件的传送,通常将工件装载到诸如标准机械化接口(StandardMechanical Interface,SMIF)或前开式晶圆传送盒(Front Opening Unified Pod,FOUP)的容器中,然后提取并放置在自动传送车辆中。当工件传送到加工设备时,工件从容器中取出并通过包括操纵器的传送模块在加工设备中移动。

定位在容器中的其中一种工件可以是半导体晶圆,并且在半导体晶圆上形成各种装置元件。在半导体晶圆上形成的装置元件包括晶体管(例如,金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors,MOSFET)、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)晶体管、双极性晶体管(bipolar junction transistors,BJT)、高压晶体管、高频晶体管、p-通道和/或n-通道场效应晶体管(PFET/NFET)等)、二极管及其他适用元件。

或者,工件可包括测试晶圆。测试晶圆用于监测要在半导体装置制造加工流程中所使用的工作站的状况。或者,位于容器中的工具可包括光掩模或光罩。光掩模或光罩用于半导体装置制造过程的光刻曝光工艺。

尽管在加工设备中用于传送工件的现有方法通常已经足够用于它们的预期目的,但它们并非在所有方面都完全令人满意的。因此,希望提供一种用于传送物品的传送工具的解决方案。

发明内容

本公开部分实施例提供一种传送方法,适用于传送使用于一半导体制造中的一工件。上述传送方法包括移动一第一传送装置至一工件旁,使工件面向多个形成于第一传送装置的气孔。上述传送方法还包括经由自第一传送装置的气孔供应一气流,以利用第一传送装置以一非接触的方式悬浮工件。上述传送方法也包括在气流连续供应的同时利用第一传送装置传送工件。

本公开还提供一种传送装置,适用于传送在一半导体制造中所使用的一工件。上述传送装置包括一机械手臂。上述传送装置还包括两个平台,连结于机械手臂,且各自包括面向彼此的一内表面。多个气孔形成于两个平台的内表面。上述传送装置也包括一气体供应器,与气孔气体连结并配置用于控制经由气孔的一气流。

本公开还提供一种传送装置,适用于传送在一半导体制造中所使用的一工件。上述传送装置包括一上部载具以及一下部载具,排列于一既定平面并各自具有面向彼此的一侧表面,其中一第一组气孔形成于上部载具与下部载具的每一侧表面之上。上述传送装置还包括两个平台,位于既定平面的两个相对侧并各自具有面向彼此的一内表面,其中一第二组气孔形成于两个平台的内表面之上。上述传送装置也包括一下部轨道及一上部轨道。下部轨道配置用于供下部载具的移动。上部轨道配置用于供上部载具的移动。另外,上述传送装置包括多个气体供应器,与第一组气孔及第二组气孔气体连结,并配置用于控制经由第一组气孔与第二组气孔的气流。

附图说明

根据以下的详细说明并配合附图做完整公开。应注意的是,根据本产业的一般作业,附图并未必按照比例绘制。事实上,可能任意地放大或缩小元件的尺寸,以做清楚的说明。

图1显示根据部分实施例的一加工工具与一容器之间以及加工工具中的不同元件之间的一物品传送路线的示意图。

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