[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、反光层、绝缘层、P型电极、N型电极、N型焊盘和P型焊盘；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽；所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上，所述反光层在所述P型半导体层除所述P型电极所在区域之外的区域上；所述绝缘层铺设在所述凹槽内和所述反光层上，所述绝缘层上设有延伸至所述P型电极的第一通孔和延伸至所述N型电极的第二通孔；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述P型焊盘通过所述第一通孔延伸至所述P型电极，所述N型焊盘通过所述第二通孔延伸至所述N型电极；

其特征在于，所述绝缘层的上表面与所述N型焊盘的上表面和所述P型焊盘的上表面位于同一平面；所述绝缘层的上表面包括凸起部和凹陷部，所述凸起部相对于所述凹陷部的高度小于所述绝缘层的厚度，所述凸起部的顶面与所述N型焊盘的上表面和所述P型焊盘的上表面位于同一平面；所述N型焊盘和所述P型焊盘之间设有所述凸起部和所述凹陷部，所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的凸起部和凹陷部中的至少一个与所述N型焊盘之间的距离不等于与所述P型焊盘之间的距离。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的凸起部包括第一凸起部和第二凸起部，所述第一凸起部与所述N型焊盘之间的距离小于所述第一凸起部与所述P型焊盘之间的距离，所述第二凸起部与所述N型焊盘之间的距离大于所述第二凸起部与所述P型焊盘之间的距离；所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的凹陷部设在所述N型焊盘与所述第一凸起部之间、所述第一凸起部与所述第二凸起部之间、以及所述第二凸起部与所述P型焊盘之间。

3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一凸起部与所述N型焊盘之间的距离为10μm～50μm；所述第二凸起部与所述P型焊盘之间的距离为10μm～50μm。

4.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一凸起部的宽度为5μm～50μm；所述第二凸起部的宽度为5μm～50μm。

5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的凹陷部包括第一凹陷部和第二凹陷部，所述第一凹陷部与所述N型焊盘之间的距离小于所述第一凹陷部与所述P型焊盘之间的距离，所述第二凹陷部与所述N型焊盘之间的距离大于所述第二凹陷部与所述P型焊盘之间的距离；所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的凸起部设在所述第一凹陷部与所述第二凹陷部之间。

6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的凸起部还设在所述N型焊盘与所述第一凹陷部之间、以及所述第二凹陷部与所述P型焊盘之间。

7.根据权利要求1～6任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述N型焊盘远离所述P型焊盘的一侧设有所述凸起部和所述凹陷部，所述N型焊盘远离所述P型焊盘的一侧设置的凹陷部设在所述N型焊盘远离所述P型焊盘的一侧设置的凸起部与所述N型焊盘之间；所述P型焊盘远离所述N型焊盘的一侧设有所述凸起部和所述凹陷部，所述P型焊盘远离所述N型焊盘的一侧设置的凹陷部设在所述P型焊盘远离所述N型焊盘的一侧设置的凸起部与所述P型焊盘之间。

8.根据权利要求1～6任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，设置在所述绝缘层上的N型焊盘的厚度等于所述凸起部相对于所述凹陷部的高度，设置在所述绝缘层上的P型焊盘的厚度等于所述凸起部相对于所述凹陷部的高度。

9.一种倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；

在所述P型半导体层上形成反光层；

在所述凹槽内的N型半导体层上设置N型电极，并在所述P型半导体层除所述反光层所在区域之外的区域上设置P型电极；

在所述凹槽内和所述反光层上形成绝缘层，所述绝缘层上设有延伸至所述P型电极的第一通孔、延伸至所述N型电极的第二通孔；

在所述绝缘层上间隔设置N型焊盘和P型焊盘，所述P型焊盘通过所述第一通孔延伸至所述P型电极，所述N型焊盘通过所述第二通孔延伸至所述N型电极，所述N型焊盘的上表面、所述P型焊盘的上表面与所述绝缘层的上表面位于同一表面；所述绝缘层的上表面包括凸起部和凹陷部，所述凸起部相对于所述凹陷部的高度小于所述绝缘层的厚度，所述凸起部的顶面与所述N型焊盘的上表面和所述P型焊盘的上表面位于同一平面；所述N型焊盘和所述P型焊盘之间设有所述凸起部和所述凹陷部，所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的凸起部和凹陷部中的至少一个与所述N型焊盘之间的距离不等于与所述P型焊盘之间的距离。