[发明专利]空穴传输材料及量子点发光二极管

说明书

本发明公开了一种空穴传输材料，其交联后具有高的空穴传输和空穴注入性能，从而提高器件的效率和寿命。本发明还公开了一种量子点发光二极管，其寿命长、效率高。一种空穴传输材料，包括如通式I所示的化合物，其中，R1、R2独立地选自C₁‑C₃₀烷基。

技术领域

本发明涉及光电材料技术领域，具体涉及空穴传输材料及量子点发光二极管。

背景技术

平板显示产业是我国经济发展的战略性产业，有机发光二极管(OLED)作为新兴显示产业，已经进入量产阶段，但现有商业化的OLED主要是采用真空蒸镀的方式制备，存在材料利用率低、产品良率差、成本高昂的问题。而印刷显示技术由于材料利用率高、制备工艺简单，可大面积规模化生产等优势，被认为是未来大尺寸平板显示的必然发展趋势。其中，采用无机量子点材料替代有机发光材料的量子点发光二极管器件(QLED)，因具有非常窄的发射光谱，能实现更高的色纯度及广色域，同时对环境水氧敏感度相对较低，可以全溶液法印刷制作轻薄、柔软显示器件，而备受关注。

在QLED器件研发过程中，印刷制备发光膜层的载流子注入不平衡、膜层之间的侵蚀破坏作用、空穴传输层相对较低的空穴迁移率等因素是阻碍QLED器件性能提升的关键瓶颈。因而，开发热交联型完全抗溶剂、高迁移率、深HOMO能级的空穴传输材料有助于优化改善空穴传输和注入性能，提高量子点器件的效率与寿命。

发明内容

针对上述现有技术中存在的不足和问题，本发明旨在提出一种空穴传输材料，其交联后具有高的空穴传输和空穴注入性能，从而提高器件的效率和寿命，适用于量子点发光二极管中。本发明还旨在提出一种量子点发光二极管，其寿命长、效率高。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种空穴传输材料，包括如通式I所示的化合物，或为通式I所示的化合物

其中，R1、R2独立地选自C₁-C₃₀烷基，可以相同，也可以不同。上述空穴传输材料为含咔唑、芴、乙烯基团、醚氧键的化合物，咔唑凭借原子氮的强给电子能力表现的高电正性，从而具有高的空穴迁移特性；芴不但空穴传输性能好，而且能隙高，其刚性平面联苯骨架易引入柔性烷基链改善溶解性和玻璃化温度；乙烯双键易加热交联形成稳固纳米网状结构；醚氧键稳定不易断裂。因而，该空穴传输材料包括或为含有热交联功能单元(乙烯及其衍生物)、π-共轭刚性平面结构空穴传输功能单元(咔唑及其衍生物)、深HOMO能级调节单元(芴及其衍生物)以及连接空穴传输单元和交联单元的醚氧单元的化合物。通过简单加热方式原位交联形成的空穴传输(HTL)层，不但具有优异的空穴迁移率和深HOMO 能级，而且具有100％抗溶剂性和高界面稳定性，高空穴传输以及平衡载流子注入特性，特别适合用于印刷制备量子点发光二极管(QLEDs)空穴传输层，在使用中没有印刷膜层之间的侵蚀破坏作用，从而可以提升器件的发光效率与使用寿命，实现多层QLED器件结构的高质量印刷。

通过以上各方面，该空穴传输材料可用作QLEDs的交联型空穴传输材料。

优选地，R1和R2相同。

更优选地，所述空穴传输材料为如下化合物1、化合物2、化合物3、化合物4中的一种或多种的组合，

本发明还采用如下技术方案：

一种量子点发光二极管，包括空穴传输层，所述空穴传输层由如上所述的空穴传输材料形成。

进一步地，所述空穴传输层由所述的空穴传输材料交联形成。