[发明专利]一种存储控制方法、装置、设备和计算机存储介质

说明书

本发明实施例提供了一种存储控制方法、装置、设备和计算机存储介质，所述方法包括：在存储设备的存储区域中，确定出采用SLC模式的SLC区域和采用XLC模式的XLC区域；当所述SLC区域发生垃圾回收或SLC区域资源不足时，需要根据数据在SLC中存在的年龄、回收次数等属性联合判断，选择SLC区域中合理的物理块进行数据迁出，同时选择SLC或XLC区域相应条件的物理块作为数据迁移目标物理块，将SLC区域有效数据迁移至目标物理块中；所述SLC区域的任意一个物理块被擦除时，将被擦除的物理块采用的模式配置为XLC模式，将所述XLC区域中擦除次数最小的空物理块采用的模式配置为SLC模式。

技术领域

本发明实施例涉及但不限于及NAND-Flash存储控制技术，尤其涉及一种存储控制方法、装置、设备和计算机存储介质，可以用于实现NAND-Flash闪存转换层的设计。

背景技术

伴随着云计算、物联网、大数据和高性能计算等新型服务和应用的蓬勃发展，数据访问的需求提到了空前高度，这给数据存储带来了巨大的挑战。NAND-Flash存储相对于硬盘存储来说局域许多明显的优势，例如读取速度快、并发性强、功耗低、体积小、耐冲击性好等优点，已经被广泛应用于移动消费设备领域，乃至企业级存储系统中。例如便携式存储安全数码卡(Secure Digital Memory Card，SD卡)、手机内部存储eMMC(Embedded MultiMedia Card)卡和UFS(Universal Flash Storage)卡等，都是基于NAND-Flash存储技术的产品。

NAND-Flash存储是一种非易失性存储介质，它的基本存储单元为“Cell”，M个Cell组成一个物理页(page)，N个物理页组成一个物理块(block)，K个物理块块组成一个面(plane)，多个面组成一个器件(device)，这里，M、N和K均可以表示正整数。NAND-Flash还有其独特的读写擦除操作要求：1)写和读操作按照物理页为单位；2)不可以覆盖写，一个物理页需要擦除以后才能再写，所以更新同一用户逻辑地址上的数据需要进行异地更新(写在不同的物理页上)；3)擦除按照物理块为单位，一次性会擦除一个物理块上所有数据；4)每个物理块有擦除寿命，不可无限次擦除，需要尽可能的使各块擦除次数平均，以获得更高的器件寿命。

源于这些独特的操作要求，NAND-Flash需要有额外的存储控制技术来使其更加适合实际的应用。然而相关技术中，针对NAND-Flash存储设备的存储控制技术并不能有效地均衡各个物理块的擦除次数，导致NAND-Flash存储设备的使用寿命较低。

发明内容

本发明实施例提供了一种存储控制方法、装置、设备和计算机存储介质，能够有效地均衡单层式存储(Single Level Cell，SLC)区域和非单层式存储(XLC)区域的擦除次数。

为达到上述目的，本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提出了一种存储控制方法，所述方法包括：

在存储设备的存储区域中，确定出采用单层式存储SLC模式的SLC区域和采用非单层式存储XLC模式的XLC区域；

所述SLC区域的任意一个物理块被擦除时，将被擦除的物理块采用的模式配置为XLC模式，将所述XLC区域中擦除次数最小的空物理块采用的模式配置为SLC模式。

本发明实施例还提出了一种存储控制装置，所述装置包括确定单元和处理单元；其中，

确定单元，用于在存储设备的存储区域中，确定出采用单层式存储SLC模式的SLC区域和采用非单层式存储XLC模式的XLC区域；

处理单元，用于在所述SLC区域的任意一个物理块被擦除时，将被擦除的物理块采用的模式配置为XLC模式，将所述XLC区域中擦除次数最小的空物理块采用的模式配置为SLC模式。