[发明专利]接合构造体、电子部件模块、电子部件单元和电子部件单元的制造方法在审
| 申请号: | 201811247886.4 | 申请日: | 2018-10-25 | 
| 公开(公告)号: | CN109712896A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 | 
| 发明(设计)人: | 广田洋平;山崎宽史 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 | 
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/18;H01L23/29;H01L25/07;H05K3/34;B23K35/26;B23K35/30 | 
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属 电子部件单元 接合构造体 电子部件模块 镍铁合金 邻接 制造 | ||
本发明的接合构造体具备:第一金属部分,含有镍铁合金或铜;以及第二金属部分,与第一金属部分邻接,并且含有锡。第一金属部分和第二金属部分中的至少一方有多个。
技术领域
本发明涉及一种接合有2种以上物体的接合构造体,具备该接合构造体的电子部件模块和电子部件单元,以及该电子部件单元的制造方法。
背景技术
到目前为止,已经提议了一些将多个电子部件进行模块化而形成的电子部件模块。例如在专利文献1中,公开了:将包含加速度传感器的传感器芯片,通过树脂粘合层固定在特定用途用集成电路(ASIC)中的传感器封装件。另外,在专利文献2中,公开了:通过不含铅(Pb)的糊状的焊锡,将电子部件接合在基板上的电子部件内藏模块。另外,在专利文献3中,公开了:作为适合将微电子电路芯片连接于封装件的相互接合构造,在NiFe等金属的可以焊接的层上,包括以锡为主要成分的无铅焊锡球。并且,在专利文献4中,公开了:通过以环绕铜圆柱周围的方式形成有焊锡的柱状部件,接合有2个对置基板的模块基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-76588号公报
专利文献2:日本特开2016-87691号公报
专利文献3:日本特开平9-181125号公报
专利文献4:日本特开平8-316629号公报
发明内容
然而,在这样的电子部件模块中,要求提高电子部件的安装密度,开始了接合构造体的形成区域的狭小化。另外,由于电子部件的安装密度变高,被再加热而熔融的接合构造体有可能引起包括电子部件的电路内的短路。因此,期望提供一种优质的接合构造体,具备该接合构造体的电子部件模块和电子部件单元,以及该电子部件单元的制造方法。
本发明的一种实施方式的接合构造体具备:第一金属部分,含有镍铁合金(NiFe)或铜(Cu);以及第二金属部分,与第一金属部分邻接,并且含有锡(Sn)。并且,第一金属部分和第二金属部分中的至少一方有多个。
本发明的一种实施方式的电子部件模块具备:电子部件芯片,包括电子部件;以及上述接合构造体,设置在电子部件芯片上。另外,本发明的一种实施方式的电子部件单元具备:第一电子部件基板,包括第一电子部件;第二电子部件基板,包括第二电子部件;以及上述接合构造体,接合第一电子部件基板与第二电子部件基板。
本发明的一种实施方式的电子部件单元的制造方法包括:在包含第一电子部件的第一电子部件基板上形成接合构造体,接合构造体具有第一金属部分和第二金属部分,第一金属部分含有镍铁合金或铜,第二金属部分与第一金属部分邻接且含有锡;夹着接合构造体在第一电子部件基板的相反侧设置包含第二电子部件的第二电子部件基板;以及通过加热第一金属部分和第二金属部分,形成第一金属部分的镍铁合金或铜与第二金属部分的锡的合金。在这里,作为接合构造体,形成为第一金属部分和第二金属部分中的至少一方有多个。
附图说明
图1A是表示本发明的第一实施方式的接合构造体的概略结构例子的平面图。
图1B是表示图1A所示的接合构造体的概略结构例子的立体图。
图1C是图1A所示的接合构造体的锡的含有率的分布的示意特性图。
图2是表示作为图1A的接合构造体的第一应用例的电子部件单元的概略结构例子的截面图。
图3A是表示图2所示的电子部件单元的制造方法的一个工序的概略截面图。
图3B是表示继图3A之后的一个工序的概略截面图。
图3C是表示继图3B之后的一个工序的概略截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





