[发明专利]一种基于γ-C2 有效
| 申请号: | 201811246075.2 | 申请日: | 2018-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN109467382B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
| 发明(设计)人: | 刘志超;王发洲;周雄;穆元冬;何永佳 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
| 主分类号: | C04B30/00 | 分类号: | C04B30/00;C04B111/94 |
| 代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐万荣;官群 |
| 地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 base sub | ||
1. 一种基于γ-C2S的导电材料,其特征在于,其原料及其体积百分比如下:γ-C2S 60-65%,水30%,导电相5-10%;
所述导电相为表观密度大于1800 kg/m3的碳纳米管与炭黑按体积比1:1混合得到的复合物;
其制备方法具体步骤为:将γ-C2S与导电相按比例混合均匀,加水拌匀后得到湿料,将所得湿料置于模具中压制成型得到坯体,最后将坯体立即放入碳化箱中进行碳化处理得到基于γ-C2S的导电材料。
2.根据权利要求1所述的基于γ-C2S的导电材料,其特征在于,所述γ-C2S粒径为0.5-80µm,表观密度大于2900kg/m3,比表面积大于250m2/kg,纯度高于99%。
3. 根据权利要求1所述的基于γ-C2S的导电材料,其特征在于,所述碳纳米管外径大于50nm,内径为5-15nm,长度10-20μm,表观密度大于1800 kg/m3,纯度高于95%。
4.根据权利要求1所述的基于γ-C2S的导电材料,其特征在于,所述炭黑粒径≤80µm,表观密度大于1800kg/m3,纯度高于95%。
5.一种权利要求1-4任一所述的基于γ-C2S的导电材料的制备方法,其特征在于,具体步骤为:将γ-C2S与导电相按比例混合均匀,加水拌匀后得到湿料,将所得湿料置于模具中压制成型得到坯体,最后将坯体立即放入碳化箱中进行碳化处理得到基于γ-C2S的导电材料。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述压制成型的条件为:成型压力为100-200MPa,压制时间为2分钟。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述坯体为直径20mm、厚度2mm的圆片。
8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述碳化处理条件为:在CO2气氛下进行,碳化压强为3MPa,碳化时间为2-4h。
9.一种权利要求1-4任一所述的基于γ-C2S的导电材料在建筑材料领域的应用。
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