[发明专利]钽酸锂单晶体衬底、粘结衬底、粘结衬底的制造方法、和使用粘结衬底的表面声波器件

权利要求书

1.一种制造粘结衬底的方法，所述方法包括：

将基底衬底粘结到LiTaO₃单晶体衬底，所述LiTaO₃单晶体衬底具有浓度分布，其中Li浓度在衬底表面与所述衬底的内部分之间是不同的，并且其中Li浓度在范围是从所述衬底的表面中的至少一个到一定深度的区部中是大致上一致的；以及

以使得其中所述Li浓度大致上一致的所述区部的至少部分留下的方式移除与粘结面相反的LiTaO₃表面层。

2.一种制造粘结衬底的方法，所述方法包括：

将基底衬底粘结到LiTaO₃单晶体衬底，所述LiTaO₃单晶体衬底具有浓度分布，其中Li浓度在衬底表面与所述衬底的内部分之间是不同的，并且其中Li浓度在范围是从所述衬底的表面中的至少一个到一定深度的区部中是大致上一致的，以及

以使得唯有其中所述Li浓度大致上一致的所述区部留下的方式移除与所述粘结面相反的LiTaO₃表面层。

3.根据权利要求2所述的制造粘结衬底的方法，其中所述Li浓度大致上一致的那个区部具有伪化学计量组成。

4.一种用于制造粘结衬底的方法，所述方法包括：

将由含Li化合物构成的衬底粘结到基底衬底，所述衬底具有展示出在所述衬底的表面与所述衬底的内部分之间的Li浓度差异的浓度分布；以及

移除所述由含Li化合物构成的衬底的在粘结表面的相反侧上的表面层，使得所述由含Li化合物构成的衬底的一部分保留。

5.根据权利要求4所述的用于制造粘结衬底的方法，其中所述由含Li化合物构成的衬底在所述衬底的厚度方向上具有：

其中Li浓度从所述衬底的一个表面开始大致上一致的第一范围；

其中Li浓度从衬底表面侧朝向所述衬底的内部分变化的第二范围；以及

其中Li浓度大致上一致的第三范围，并且

所述第一范围和所述第三范围具有不同的Li浓度。

6.根据权利要求4所述的用于制造粘结衬底的方法，其中所述由含Li化合物构成的衬底在所述衬底的厚度方向上具有：

其中Li浓度从所述衬底的一个表面开始大致上一致的第一范围；

其中Li浓度从衬底表面侧朝向所述衬底的内部分变化的第二范围；

其中Li浓度大致上一致的第三范围；

其中Li浓度从所述衬底的内部分朝向所述衬底的另一表面变化的第四范围；以及

其中Li浓度直到所述衬底的所述另一表面为止大致上一致的第五范围，并且

所述第三范围的所述Li浓度不同于所述第一范围和所述第五范围的所述Li浓度。

7.根据权利要求5所述的用于制造粘结衬底的方法，其中，其中Li浓度大致上一致的范围是±0.1摩尔％的范围。

8.根据权利要求4所述的用于制造粘结衬底的方法，其中，在所述由含Li化合物构成的衬底中，所述衬底的表面相比所述衬底的内部分具有更高的Li浓度。

9.根据权利要求4所述的用于制造粘结衬底的方法，其中所述由含Li化合物构成的衬底具有其中在所述衬底的厚度方向上，衬底表面侧具有更高的Li浓度的范围。

10.根据权利要求4所述的用于制造粘结衬底的方法，其中所述由含Li化合物构成的衬底的保留在所述粘结衬底中的所述部分具有伪化学计量组成。

11.根据权利要求4所述的用于制造粘结衬底的方法，其中所述由含Li化合物构成的衬底的保留在所述粘结衬底中的所述部分具有超过50.0摩尔％的Li浓度。

12.根据权利要求5所述的用于制造粘结衬底的方法，其中所述由含Li化合物构成的衬底的保留在所述粘结衬底中的所述部分包括所述第一范围。