[发明专利]瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201811245838.1 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110034108B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 沈佑书;范美莲 | 申请（专利权）人： | 晶焱科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制器 | ||
1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：
一重掺杂基板，为一第一半导体型，该重掺杂基板电性连接于一第一节点；
一第一掺杂层，为一第二半导体型，该第一掺杂层形成于该重掺杂基板上；
一第二掺杂层，为该第一半导体型，该第二掺杂层形成于该第一掺杂层上；
一第一重掺杂区，为该第二半导体型，该第一重掺杂区形成于该第二掺杂层中，且该第一重掺杂区电性连接于一第二节点；
一第二重掺杂区，为该第一半导体型，该第二重掺杂区形成于该第二掺杂层中，且该第二重掺杂区电性连接于该第二节点；以及
多个沟槽，形成于该重掺杂基板中，且每一该沟槽的深度不小于该第一掺杂层的深度，其中，该第一重掺杂区与该第二重掺杂区之间设置有至少一该沟槽，以作为电性隔离，当该第一半导体型为N型时，该第二半导体型为P型，且该第一节点与该第二节点各自为一输入输出接脚与一接地端。
2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，该第一掺杂层为一P型磊晶层。
3.如权利要求2所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，该第二掺杂层为一N型磊晶层。
4.如权利要求2所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，该第二掺杂层为一N型轻掺杂井型区。
5.如权利要求4所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，形成有该第一重掺杂区的该第二掺杂层可选择性地移除，使得该第一重掺杂区直接形成于该第一掺杂层中。
6.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：
一重掺杂基板，为一第一半导体型，该重掺杂基板电性连接于一第一节点；
一第一掺杂层，为一第二半导体型，该第一掺杂层形成于该重掺杂基板上；
一第二掺杂层，为该第一半导体型，该第二掺杂层形成于该第一掺杂层上；
一第一重掺杂区，为该第二半导体型，该第一重掺杂区形成于该第二掺杂层中，且该第一重掺杂区电性连接于一第二节点；
一第二重掺杂区，为该第一半导体型，该第二重掺杂区形成于该第二掺杂层中，且该第二重掺杂区电性连接于该第二节点；以及
多个沟槽，形成于该重掺杂基板中，且每一该沟槽的深度不小于该第一掺杂层的深度，其中，该第一重掺杂区与该第二重掺杂区之间设置有至少一该沟槽，以作为电性隔离，当该第一半导体型为P型时，该第二半导体型为N型，且该第一节点与该第二节点各自为一接地端与一输入输出接脚。
7.如权利要求6所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，该第一掺杂层为一N型磊晶层。
8.如权利要求7所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，该第二掺杂层为一P型磊晶层。
9.如权利要求7所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，该第二掺杂层为一P型轻掺杂井型区。
10.如权利要求9所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，形成有该第一重掺杂区的该第二掺杂层可选择性地移除，使得该第一重掺杂区直接形成于该第一掺杂层中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
