[发明专利]一种铜镀钯再镀镍键合丝及其制备方法在审
| 申请号： | 201811245101.X | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109449087A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 张军伟;张贺源;冯忠卿 | 申请（专利权）人： | 深圳粤通应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/49;C25D5/12;C25D7/06;C25D5/50;C23C18/38;C23C18/32;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜丝 键合丝 结合力 镀镍 铜镀 镀镍层 镀钯层 镀覆 基材 制备 焊点 基材表面 拉丝过程 生产效率 成品率 镀金层 键合力 镍钯金 无变形 镀层 剥落 焊接 | ||
1.一种铜镀钯再镀镍键合丝，包括铜丝基材（1），其特征在于，所述铜丝基材（1）表面依次镀覆有镀钯层（2）和镀镍层（3）。
2.根据权利要求1所述的铜镀钯再镀镍键合丝，其特征在于，所述铜丝基材（1）通过在高纯铜中添加微量金属元素进行单晶熔炼制成，所述高纯铜的纯度大于99.9995%。
3.根据权利要求2所述的铜镀钯再镀镍键合丝，其特征在于，所述微量金属元素为铬、银和金，所述高纯铜与铬、银以及金之间的按照重量份的比例为99:0.4:0.4:0.2。
4.根据权利要求1所述的铜镀钯再镀镍键合丝，其特征在于，所述镀钯层（2）的厚度为0.06um～0.12μm，镀镍层（3）厚度为3um～5.0um。
5.根据权利要求1所述的铜镀钯再镀镍键合丝，其特征在于，所述铜镀钯再镀镍键合丝的直径为15～40μm。
6.根据权利要求1或4所述的铜镀钯再镀镍键合丝，其特征在于，所述镀钯层（2）采用纯度大于99.99%的金属钯为原料，所述镀镍层（3）采用纯度大于99.99%的金属镍为原料。
7.根据权利要求1-5任一所述的铜镀钯再镀镍键合丝的制备方法，其特征在于，步骤如下：
1）将高纯铜置入熔炼炉熔化，然后按配比加入铬、银和金，经过单晶熔炼并拉伸成直径为0.25mm的铜芯；
2）通过电镀或化学镀或真空镀将纯度大于99.99%的金属钯镀于步骤1）所获得的铜芯表面；
3）经过高压清洗后，通过电镀或化学镀或真空镀将纯度大于99.99%的金属镍镀于步骤2）所获得的镀钯层表面；
4）将表面镀钯镍銅丝基材进行超细拉伸，获得表面镀钯镍键合丝；
5）将表面镀钯镍键合丝进行动态连续退火，退火温度为490-510°C，温区总长度700mm，退火速度1.5m/sec，得所需铜镀钯再镀镍键合丝。
8.根据权利要求7所述的铜镀钯再镀镍键合丝的制备方法在制备半导体封装用键合丝中的应用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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