[发明专利]基于皮亚诺LS算法填充曲线的开槽超宽频UC-EBG结构在审

专利信息
申请号: 201811244590.7 申请日: 2018-10-24
公开(公告)号: CN109449577A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 田慧平;杨二兵;陈硕 申请(专利权)人: 北京邮电大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;G06F17/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100876 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 填充 迭代结构 镂空 开槽 带宽 带隙可调 电磁传播 电磁带隙 改变结构 曲线结构 微波天线 摘要附图 超宽带 超宽频 分形 应用
【权利要求书】:

1.提出了基于皮亚诺LS算法曲线结构填充到不同的外形区域内,得到两款超宽带EBG结构,其特征在于:SP-UC-EBG、PP-UC-EBG,填充的曲线结构都为皮亚诺LS算法第三次迭代,不同是镂空的外形结构,其中SP-UC-EBG是将PSF填充到镂空的正方形中,PP-UC-EBG是将基于皮亚诺LS算法三次迭代结构填充到改进型的皮亚诺LS算法与正方形组合的镂空区域内。

2.根据权利要求1中所述的内容,实现了将这两款EBG分别由5个EBG结构单元周期性排列的结构模型,用基质底板,微带线法,改变开槽的大小,SP-UC-EBG结构单元组成阵列的EBG获得的禁带带隙为2-29.74GHz,31.54-70Ghz,由PP-UC-EBG结构单元组成阵列的EBG获得的禁带带隙为2-36.72GHz,37.49-70GHz。

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