[发明专利]一种MARX发生器在审

专利信息
申请号: 201811243965.8 申请日: 2018-10-24
公开(公告)号: CN109347322A 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 邹旭东;刘爽;姜聪聪;姜文超;许长乐;江伟斌 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;H02H7/12;H02M1/32
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 充放电路 二极管 电感 电路结构 直流电源相连 第一级电路 储能电容 第一开关 工程应用 故障状态 容性负载 直流电源 接地 第一级 每一级 短路 并联 电阻 瞬态 电路
【权利要求书】:

1.一种MARX发生器,其特征在于:包括直流电源、电感、n个二极管D1a~Dna和多级充放电路(1~n);

所述第一级充放电路一端经所述电感与所述直流电源相连,每级电路之间经所述二极管D1a~Dna并联,第n级充放电路一端接地,所述多级充放电路(1~n)的两端用于连接负载;

n为大于等于2的整数。

2.根据权利要求1所述MARX发生器,其特征在于,所述多级充放电路(1~n)中每一级的电路结构相同。

3.根据权利要求2所述MARX发生器,其特征在于,所述多级充放电路(1~n)中第一级电路包括第一储能电容C1、第一开关管S1、第一二极管D1和第一电阻R1;

所述第一储能电容C1的阳极和第一开关管S1的输入端相连,第一储能电容C1的阴极和第一二极管D1的正极相连,第一二极管D1的负极接第一电阻R1以及下一级充电电路中第二储能电容C2的阴极,第一开关管S1的输入端经二极管D2a与下一级电路中的第二储能电容C2的阳极相连,第一开关管的控制端和第一二极管D1的负极相连,第一开关管S1的输出端与第一电阻R1串联。

4.根据权利要求3所述MARX发生器,其特征在于,当所述开关管为IGBT时,所述第一储能电容C1的阳极和第一开关管S1的集电极相连,第一储能电容C1的阴极和第一二极管D1的正极相连,第一二极管D1的负极接第一电阻R1以及下一级充电电路中第二储能电容C2的阴极,第一开关管S1的集电极经二极管D2a与下一级电路中的第二储能电容C2的阳极相连,第一开关管的栅极和第一二极管D1的负极相连,第一开关管S1的发射级与第一电阻R1串联。

5.根据权利要求3所述MARX发生器,其特征在于,当所述开关管为MOSFET时,所述第一储能电容C1的阳极和第一开关管S1的漏极相连,第一储能电容C1的阴极和第一二极管D1的正极相连,第一二极管D1的负极接第一电阻R1以及下一级充电电路中第二储能电容C2的阴极,第一开关管S1的漏极经二极管D2a与下一级电路中的第二储能电容C2的阳极相连,第一开关管的栅极和第一二极管D1的负极相连,第一开关管S1的源极与第一电阻R1串联。

6.根据权利要求1所述MARX发生器,其特征在于,所述负载为容性负载或电路发生短路等故障状态导致瞬态电流增大的情况。

7.根据权利要求3所述MARX发生器,其特征在于,所述开关管S1~Sn为电压驱动型半导体开关管。

8.根据权利要求7所述MARX发生器,其特征在于,所述开关管为IGBT、MOSFET或三极管。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811243965.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top