[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基层，在所述衬底基层上形成栅极，并在所述栅极和所述衬底基层上形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上依次形成半导体材料层和源漏极金属层，并在所述源漏极金属层上形成岛状光阻图案，所述岛状光阻图案包括第一部分和位于所述第一部分两侧的第二部分，所述第二部分的高度大于所述第一部分的高度；以所述岛状光阻图案为掩模对所述源漏极金属层进行第一次湿蚀刻，得到源漏极金属段；

对所述岛状光阻图案进行第一次灰化，使所述岛状光阻图案的边缘与所述源漏极金属段的边缘对齐；

以经第一次灰化后的岛状光阻图案为掩模，对所述半导体材料层层进行第一次干蚀刻，得到有源段部分；

对经第一次灰化后的岛状光阻图案进行第二次灰化，去除第一部分，得到间隔设置的第三部分，所述第三部分的高度小于第一部分的高度；

以所述第三部分为掩模，对所述源漏极金属段进行第二次湿蚀刻，得到源极和漏极。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体材料层包括非晶硅层以及形成于所述非晶硅层上的掺杂层；所述有源段部分包括非晶硅段以及设于非晶硅段上的掺杂段。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在得到所述源极和漏极之后，还包括对所述掺杂段进行第二次干蚀刻，得到位于所述非晶硅段两侧上方的欧姆接触层。

4.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述非晶硅层通过化学气相沉积法沉积于所述栅极绝缘层上，所述掺杂层通过化学气相沉积法沉积于所述栅极绝缘层上。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一次干蚀刻还包括增加纵向蚀刻与横向蚀刻的速率之比的方法。

6.如权利要求1至5中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一次灰化采用氧气和含氟气体的混合气体；所述含氟气体包括NF₃、CF₄、C₂F₆、C₄F₈、CHF₃、SF₆中的至少一种。

7.如权利要求1至5中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二次灰化采用氧气和含氟气体的混合气体；所述含氟气体包括NF₃、CF₄、C₂F₆、C₄F₈、CHF₃、SF₆中的至少一种。

8.如权利要求1至5中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述源漏极金属层为Mo/Al/Mo层、MoN/Al/Mo层或Mo/Al/MoN层。

9.一种阵列基板，其特征在于，根据权利要求1至8中任一项所述的阵列基板的制作方法所制作得到，所述阵列基板包括非晶硅段，所述非晶硅段的非晶硅带尾的长度在1至1.6微米之间。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板，所述阵列基板包括设于非晶硅段的两侧上方的源极和漏极，所述源极和漏极为Mo/Al/Mo层、MoN/Al/Mo层或Mo/Al/MoN层，上层Mo或MoN层的厚度为100-500埃，中间层Al层的厚度为2000-5500埃，下层Mo或MoN层的厚度为100-300埃。