[发明专利]具有减少的建立时间的图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

像素区域，其包括光电二极管和传输晶体管，所述传输晶体管被配置为将所述光电二极管中累积的电荷传输到浮置扩散区域；以及

晶体管区域，其与所述像素区域相邻，包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，

其中所述第一晶体管的第一栅电极下方的第一栅极氧化物膜和所述第二晶体管的第二栅电极下方的第二栅极氧化物膜包括比所述传输晶体管的栅极氧化物膜薄的沟道氧化物膜。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一晶体管的所述沟道氧化物膜被所述第一栅电极完全覆盖。

3.根据权利要求2所述的图像传感器：

其中所述第一晶体管包括源极区域和漏极区域以及沟道区域，所述源极区域和所述漏极区域在衬底的上部中位于所述第一栅电极的两侧，所述沟道区域在所述第一栅电极下方位于所述衬底的所述上部中；以及

其中所述第一晶体管的所述沟道氧化物膜设置在所述沟道区域中，或者沿着与从所述源极区域朝向所述漏极区域的长度方向垂直的宽度方向延伸出所述沟道区域。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一栅极氧化物膜包括围绕所述第一晶体管的所述沟道氧化物膜的外部氧化物膜，并且所述外部氧化物膜具有与所述传输晶体管的所述栅极氧化物膜的厚度基本相同的厚度。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一晶体管的所述沟道氧化物膜的至少一部分从所述第一栅电极的侧表面向外突出。

6.根据权利要求1所述的图像传感器：

其中所述第一晶体管包括源极区域和漏极区域以及沟道区域，所述源极区域和所述漏极区域在衬底的上部中位于所述第一栅电极的两侧，所述沟道区域在所述第一栅电极下方位于所述衬底的所述上部中；以及

其中所述第一晶体管的所述沟道氧化物膜沿着从所述源极区域朝向所述漏极区域的长度方向从所述第一栅电极的两个侧表面延伸、沿着垂直于所述长度方向的宽度方向从所述第一栅电极的两个侧表面延伸、或者沿着所述长度方向和所述宽度方向两者从所述第一栅电极的两个侧表面延伸。

7.根据权利要求1所述的图像传感器：

其中所述第一晶体管包括源极区域和漏极区域以及沟道区域，所述源极区域和所述漏极区域在衬底的上部中位于所述第一栅电极的两侧，所述沟道区域在所述第一栅电极下方位于所述衬底的所述上部中；以及

其中所述沟道区域的顶表面低于所述源极区域和所述漏极区域的顶表面。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一栅电极的与所述第一晶体管的所述沟道氧化物膜对应的部分向下突出。

9.根据权利要求1所述的图像传感器：

其中所述第一晶体管是源极跟随器晶体管，所述第二晶体管是选择晶体管，所述第三晶体管是复位晶体管；

其中所述复位晶体管、所述源极跟随器晶体管和所述选择晶体管由共用所述浮置扩散区域的光电二极管共用；以及

其中所述复位晶体管、所述源极跟随器晶体管和所述选择晶体管按所述复位晶体管、所述源极跟随器晶体管和所述选择晶体管的第一布置顺序、或所述源极跟随器晶体管、所述复位晶体管和所述选择晶体管的第二布置顺序布置在所述晶体管区域中。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中按所述第二布置顺序彼此相邻的两个源极跟随器晶体管布置在所述晶体管区域中。

11.一种图像传感器，包括：

像素区域，其中布置有共用像素和传输晶体管，在所述像素区域中浮置扩散区域由至少两个光电二极管共用，并且所述传输晶体管对应于所述至少两个光电二极管；以及

晶体管区域，其与所述像素区域相邻，并且在其中布置有与所述共用像素对应的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，

其中所述第一晶体管的第一栅电极下方的第一栅极氧化物膜包括比所述传输晶体管的栅极氧化物膜薄的第一沟道氧化物膜。