[发明专利]一种数据存储设备的自毁装置及其方法有效
申请号: | 201811242187.0 | 申请日: | 2018-10-24 |
公开(公告)号: | CN109543469B | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 石庆谱;张兴恩 | 申请(专利权)人: | 广东禅信通科技有限公司 |
主分类号: | G06F21/78 | 分类号: | G06F21/78 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 龙栢强 |
地址: | 528000 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 数据 存储 设备 自毁 装置 及其 方法 | ||
1.一种数据存储设备的自毁装置,其特征在于,包括:按键、单片机、升压电路、基础电压端、接地端、防反二极管、上拉电阻,所述按键的一端分别与上拉电阻的一端、单片机的第一GPIO口连接,所述上拉电阻的另一端与基础电压端连接,所述按键的另一端与接地端连接,所述升压电路包括升压芯片、电感、场效应管、续流二极管、第一电阻、第二电阻,所述场效应管的漏极与基础电压端连接,所述场效应管的栅极与单片机的第二GPIO口连接,所述场效应管的源极分别与电感的一端、升压芯片的电源端连接,所述电感的另一端分别与续流二极管的正极、升压芯片的开关端连接,所述续流二极管的负极分别与第一电阻的一端、防反二极管的正极连接,所述第一电阻的另一端分别与升压芯片的反馈端、第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端与接地端连接,所述防反二极管的负极外接存储芯片的电源端,所述升压芯片用于将基础电压抬升至摧毁电压。
2.根据权利要求1所述的一种数据存储设备的自毁装置,其特征在于,所述摧毁电压≥4倍的基础电压。
3.根据权利要求2所述的一种数据存储设备的自毁装置,其特征在于,所述单片机的型号为:STM32F030F4P6,所述升压芯片的型号为:TPS61040DBVRG4。
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