[发明专利]封装基板及其制作方法有效
申请号: | 201811240361.8 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN111092023B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 黄士辅;陈贻和;黄昱程 | 申请(专利权)人: | 碁鼎科技秦皇岛有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/12;H01L23/367;H01L23/498 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 饶智彬;薛晓伟 |
地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 制作方法 | ||
一种封装基板的制作方法,包括步骤:提高一承载基板,该承载基板包括一承载板及一形成在该承载板上的晶种层;在该晶种层的表面上形成一第一导电线路层;提供一介电层并将该介电层压合自该第一导电线路层上;通过激光制程在该介电层上开设至少一散热孔;通过电镀制程在该介电层上形成一第二导电线路层,该第二导电线路层填充在该散热孔内,形成了一散热垫,该散热垫电连接该第一导电线路层及该第二导电线路层,该散热垫的直径为100um~1000um;及去除该承载板。本发明还涉及一种封装基板。
技术领域
本发明涉及一种封装基板及其制作方法。
背景技术
封装基板上一般贴合有电子元件,而电子元件在工作的时候,会发热,从而产生热量。现有技术中,采用小孔径散热孔进行散热。但这种散热方法的散热效果不好,且激光开孔较困难。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种散热效果好、易于激光开孔的封装基板及其制作方法。
一种封装基板的制作方法,包括步骤:提高一承载基板,该承载基板包括一承载板及一形成在该承载板上的晶种层;在该晶种层的表面上形成一第一导电线路层;提供一介电层并将该介电层压合自该第一导电线路层上;通过激光制程在该介电层上开设至少一散热孔;通过电镀制程在该介电层上形成一第二导电线路层,该第二导电线路层填充在该散热孔内,形成了一散热垫,该散热垫电连接该第一导电线路层及该第二导电线路层,该散热垫的直径为100um~1000um;及去除该承载板。
进一步地,该第一导电线路层是通过影像转移及电镀制程制作而成的。
进一步地,该第一导电线路层包括多条导电线路,该介电层填充在多条导电线路之间并覆盖该第一导电线路层。
进一步地,在“通过电镀制程在该介电层上形成一第二导电线路层”的步骤之前,还包括步骤:在该散热孔的内壁及该介电层的远离该第一导电线路层的表面上形成一化学镀铜层。
进一步地,在“去除该承载板”的步骤之后,还包括步骤:对该第一导电线路层及该第二导电线路层的外露表面进行表面处理。
进一步地,分别在该第一导电线路层及该第二导电线路层形成一第一防焊层及一第二防焊层,该第一防焊层包括至少一第一开口,部分该第一导电线路层从该第一开口内裸露出来,该第二防焊层包括至少一第二开口,部分该第二导电线路层从该第二开口内裸露出来。
进一步地,在“通过激光制程在该介电层上开设至少一散热孔”的同时,通过激光制程在该介电层上开设至少一贯通孔,该第二导电线路层填充在该贯通孔内,形成了一导电通孔。
一种封装基板,该封装基板包括一介电层及分别形成在该介电层相背两表面的一第一导电线路层及一第二导电线路层,该第一导电线路层包括多条导电线路,该介电层填充在多条导电线路之间并覆盖该第一导电线路层,该介电层包括至少一散热孔,该第二导电线路层填充在该散热孔内,形成了一散热垫,该散热垫电连接该第一导电线路层及该第二导电线路层,该散热垫的直径为100um~1000um。
进一步地,该散热孔的直径为100um~1000um。
进一步地,该封装基板还包括一第一防焊层及一第二防焊层,该第一防焊层形成在该第一导电线路层上,该第二防焊层形成在该第二导电线路层上,该第一防焊层包括至少一第一开口,部分该第一导电线路层从该第一开口内裸露出来,该第二防焊层包括至少一第二开口,部分该第二导电线路层从该第二开口内裸露出来。
本发明提供的封装基板及其制作方法,采用直径为100um~1000um的散热垫进行散热,散热效率更高。另外,由于散热垫的尺寸增大,因此,在采用激光制程形成散热孔时,较容易,从而可以提高激光产能。
附图说明
图1为本发明较佳实施例提供的一承载基板的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造