[发明专利]一种具有反射电极的垂直结构LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于：所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极；

所述第一电极包括第一电极接触层、低折射率介质层、高光反射金属层，第二电极正下方对应的第一电极接触层的局部区域经等离子体处理，第一电极接触层只有该局部区域经等离子体处理。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述低折射率介质层为SiO₂、SiN_x或SiON任意一种或多种，厚度为1nm-1000nm。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述高光反射金属层为Ag、Au金属单层，或者为NiAg、NiAu、AuBe或AuZn合金任意一种或多种，厚度为1nm-1000nm。

4.一种垂直结构LED芯片的反射电极，其特征在于：所述反射电极由第一电极和第二电极共同构成；

所述第一电极包括第一电极接触层、低折射率介质层、高光反射金属层，第二电极正下方对应的第一电极接触层的局部区域经等离子体处理，第一电极接触层只有该局部区域经等离子处理。

5.根据权利要求4所述的反射电极，其特征在于：所述低折射率介质层为SiO₂、SiN_x或SiON任意一种或多种，厚度为1nm-1000nm。

6.根据权利要求4所述的反射电极，其特征在于：所述高光反射金属层为Ag、Au金属单层，或者为NiAg、NiAu、AuBe或AuZn合金任意一种或多种，厚度为1nm-1000nm。

7.一种垂直结构LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)在衬底上外延生长牺牲层、第二电极接触层、粗化层、发光层、第一电极接触层；

(2)制备第一电极；

(3)制备键合金属层，与基板键合，去除衬底，去除牺牲层，裸露出第二电极接触层；

(4)制备第二电极；

(5)粗化腐蚀粗化层；

(6)腐蚀芯片切割道；

(7)生长钝化膜；

(8)切割芯片，完成芯片制备。

所述步骤(2)和步骤(4)中第一电极和第二电极共同构成反射电极；

所述步骤(4)、(5)、(6)、(7)顺序可以调整。

8.根据权利要求7所述的芯片制备方法，其特征在于，步骤(2)和步骤(4)反射电极制备方法，包括以下步骤：

(1)在第一电极接触层上生长低折射率介质层；

(2)利用光刻图形化技术，采用第一电极/第二电极对准光刻方法，结合湿法腐蚀或干法刻蚀工艺，去除第二电极正下方对应区域低折射率介质层，对裸露出来的第一电极接触层表面进行等离子体处理；

(3)在步骤(2)基础上制备高光反射金属层；

(4)在第二电极接触层上制备第二电极。

9.根据权利要求8所述的反射电极制备方法，其特征在于：步骤(3)中制备高光反射金属层可以利用电子束蒸发方式蒸镀或溅射方式制备高光反射金属层。

10.根据权利要求8所述的反射电极制备方法，其特征在于：步骤(4)中可以利用金属剥离或湿法腐蚀方法完成第二电极的制备。