[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板，包括基板、遮光层以及薄膜晶体管；其中，遮光层上形成有一开口向上的凹槽，且该薄膜晶体管位于凹槽内。实施本发明，通过遮光层上的凹槽设计，能够完全避免光线进入多晶硅层，从而消除光对多晶硅层的影响。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法。

背景技术

与传统A-Si(非晶硅薄膜晶体管)技术相比，LTPS(低温多晶硅，Low TemperaturePoly-silicon)技术具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的TFT LCD(薄膜晶体管液晶显示器，Thin Film Transistor liquid crystal display)和AMOLED(有源矩阵有机发光二极体，Active-matrix organic light emitting diode)面板的制作。

鉴于LTPS技术架构的薄膜晶体管上的多晶硅层在背光源的照射下，尤其是背光源中的蓝光波段照射下，会使得光生载流子增加，容易造成阈值电压偏移，因此通常会在基板上设置遮光层，且该遮光层设置的位置与多晶硅层的沟道区相对应，用于防止多晶硅层被背光源照射。

在现有技术中，一般采用钼(Mo)等金属作为遮光层。虽然现有的遮光层能够遮挡背光源，但是层间光源会由金属制成的源漏极或者金属制成的遮光层反射到多晶硅层的沟道区，从而对多晶硅层造成不良影响，导致薄膜晶体管器件性能下降。因此，有必要进行一定的技术改进来避免光线进入多晶硅层，从而消除光对多晶硅层的影响。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法，能够完全避免光线进入多晶硅层，从而消除光对多晶硅层的影响。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括基板、遮光层以及薄膜晶体管；其中，遮光层上形成有一开口向上的凹槽，且所述薄膜晶体管位于所述凹槽内。

其中，所述遮光层由金属遮光材料或绝缘非金属遮光材料制备而成。

其中，所述绝缘非金属遮光材料包括非氢化非晶硅材料、有色一元/复合金属氧化物材料和/或黑色有机材料；所述金属遮光材料包括Mo、Cr、Ti、Ni及 Mo-Ti。

其中，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅绝缘层、栅极、间绝缘层、源极、漏极。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述的阵列基板。

本发明实施例又提供了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1、提供一基板；

步骤S2、在所述基板上制备出遮光层，且使得所述遮光层上形成有一开口向上的凹槽；

步骤S3、在所述遮光层的凹槽内制备出由半导体层、栅绝缘层、栅极、间绝缘层、源极、漏极形成的薄膜晶体管。

其中，所述步骤S2具体包括：

在所述基板的上表面溅射一层金属遮光材料形成具有一定厚度的金属膜层，并在该金属膜层上表面涂抹正向光刻胶后，采用能量为12Kw，波长位于 340nm～460nm的UV光通过透光率为25％的半透明光罩对正向光刻胶曝光、显影、蚀刻制程，制备出具有开口向上的凹槽的遮光层。

其中，所述步骤S2还进一步包括：

在所述基板的上表面涂抹一定厚度的绝缘非金属遮光材料，并在该绝缘非金属遮光材料上表面涂抹反向光刻胶后，采用能量为12Kw，波长位于 340nm～460nm的UV光通过透光率为25％的半透明光罩对反向光刻胶曝光、显影、蚀刻制程，制备出具有开口向上的凹槽的遮光层。

其中，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅绝缘层、栅极、间绝缘层、源极及漏极。