[发明专利]硅穿孔裂纹检测单元及检测方法、半导体装置制作方法

权利要求书

1.一种硅穿孔裂纹检测单元，其特征在于，包括：

模拟硅穿孔，设置于一半导体衬底中，所述模拟硅穿孔包括导电通道和隔离在所述导电通道和所述半导体衬底之间的第一介电衬垫；

导电衬垫，设置于所述半导体衬底中且围绕所述第一介电衬垫设置；

第二介电衬垫，设置于所述半导体衬底中且围绕所述导电衬垫设置；

第一触点，设置于所述半导体衬底上且电连接于所述导电通道；及

第二触点，设置于所述半导体衬底上电连接于所述导电衬垫，其中，当所述第一触点与所述第二触点之间提供有一电压差，根据所述第一触点与所述第二触点之间的导通状态预测所述模拟硅穿孔所在位置范围内的硅穿孔是否出现裂纹。

2.根据权利要求1所述的硅穿孔裂纹检测单元，其特征在于，所述导电通道的材料包括铜、钨、铝中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的硅穿孔裂纹检测单元，其特征在于，所述导电衬垫的材料包括掺杂多晶硅。

4.根据权利要求1所述的硅穿孔裂纹检测单元，其特征在于，所述半导体衬底包括位于所述模拟硅穿孔周围的外置区，所述导电衬垫和所述第二介电衬垫设置于所述外置区内。

5.根据权利要求1-4任一所述的硅穿孔裂纹检测单元，其特征在于，所述半导体衬底包括晶圆，所述晶圆具有用于切割的切割道，所述模拟硅穿孔的数量为多个，多个所述模拟硅穿孔等距排列与所述切割道上。

6.一种硅穿孔裂纹检测方法，其特征在于，包括：

在一半导体衬底上设置硅穿孔的同时设置如权利要求1所述的硅穿孔裂纹检测单元；

检测所述硅穿孔裂纹检测单元中模拟硅穿孔是否出现裂纹，从而预测所述模拟硅穿孔所在位置范围内的所述硅穿孔是否出现裂纹。

7.根据权利要求6所述的硅穿孔裂纹检测方法，其特征在于，检测所述模拟硅穿孔是否出现裂纹包括：

向所述硅穿孔裂纹检测单元的第一触点和第二触点之间输入一电压差；

检测所述第一触点和所述第二触点是否导通，当所述第一触点和所述第二触点导通时，判断所述模拟硅穿孔出现裂纹，当所述第一触点和所述第二触点没有导通时，判断所述模拟硅穿孔没有出现裂纹。

8.根据权利要求7所述的硅穿孔裂纹检测方法，其特征在于，预测所述模拟硅穿孔所在位置的硅穿孔是否出现裂纹包括：

当所述模拟硅穿孔出现裂纹时，预测所述模拟硅穿孔所在位置范围内的硅穿孔出现裂纹；

当所述模拟硅穿孔没有出现裂纹时，预测所述模拟硅穿孔所在位置范围内的硅穿孔没有出现裂纹。

9.根据权利要求8所述的硅穿孔裂纹检测方法，其特征在于，所述半导体衬底包括晶圆，所述晶圆具有用于切割的切割道，所述模拟硅穿孔的数量为多个，多个所述模拟硅穿孔等距排列与所述切割道上。

10.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包括：

利用权利要求6所述的硅穿孔裂纹检测方法预判所述硅穿孔发生裂纹的位置；以及

调节发生裂纹处的硅穿孔的工艺参数。