[发明专利]一种高转换效率的太阳能电池在审

专利信息
申请号: 201811229161.2 申请日: 2018-10-22
公开(公告)号: CN109326662A 公开(公告)日: 2019-02-12
发明(设计)人: 郭建廷;李方红;常嘉兴 申请(专利权)人: 深圳市科创数字显示技术有限公司
主分类号: H01L31/0304 分类号: H01L31/0304;H01L31/032;H01L31/0216
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 唐致明;洪铭福
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 高转换效率 钙钛矿材料层 抗反射层 太阳能电池领域 长波 依次层叠 转换效率 光能 收光 吸收 应用
【权利要求书】:

1.一种高转换效率的太阳能电池,其特征在于,包括由上至下依次层叠设置的抗反射层、钙钛矿材料层、TiO2层、III-V族太阳能电池和DBR层。

2.根据权利要求1所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层为仿生蛾眼结构。

3.根据权利要求1所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层的材料为氮化硅、二氧化硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述III-V族太阳能电池为多结太阳能电池。

5.根据权利要求4所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述多结太阳能电池为三结太阳能电池,所述三结太阳能电池包括三个子电池,三个所述子电池的能隙由上至下依次递减。

6.根据权利要求5所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述三结太阳能电池的结构由上至下具体为依次层叠设置的InGaP层、通道层一、GaAs层、通道层二、GaInNAs层、通道层三和GaAs衬底。

7.根据权利要求4所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述多结太阳能电池的结构由上至下具体为依次层叠设置的AlIn窗口层、InGaP发射层、InGaP基区层、AlGaInP背表面电场层、第一隧道结、InGaP窗口层、InGaAs发射层、InGaAs基区层、AlGaP背表面电场层、第二隧道结、InGaAs缓冲层、InGaP异质层、Ge基区层和Ge背表面电场层。

8.根据权利要求4所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述多结太阳能电池的结构由上至下具体为依次层叠设置的p-AlGaAs窗口层、p-GaAs发射层、n-GaAs基区层;所述DBR层的下方还设置有n-GaAs衬底。

9.根据权利要求4所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述多结太阳能电池的结构由上至下具体为依次层叠设置的覆盖层、窗口层、InGaAs n型发射层、InGaAs p型基区层、背表面电场层、隧道结、缓冲层、Ge n型扩散层、Ge p型衬底。

10.根据权利要求4所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述多结太阳能电池的结构由上至下具体为依次层叠设置的n-AlInP窗口层、n-InGaP发射层、p-InGaP基区层、p-AlInP背表面电场层、p-AlGaAs/n-InGap隧道结、n-InGaP窗口层、n-InGaAs发射层、p-InGaAs基区层、p-InGaP背表面电场层、p-GaAs/n-GaAs隧道结、n-InGaAs缓冲层、InGaP层、n-Ge层、p-Ge层。

11.根据权利要求1-10任一项所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层上方还设置有聚光镜模组。

12.根据权利要求11所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述聚光镜模组为菲涅尔透镜。

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