[发明专利]一种高转换效率的太阳能电池在审
| 申请号: | 201811229161.2 | 申请日: | 2018-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN109326662A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
| 发明(设计)人: | 郭建廷;李方红;常嘉兴 | 申请(专利权)人: | 深圳市科创数字显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/032;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 唐致明;洪铭福 |
| 地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 高转换效率 钙钛矿材料层 抗反射层 太阳能电池领域 长波 依次层叠 转换效率 光能 收光 吸收 应用 | ||
1.一种高转换效率的太阳能电池,其特征在于,包括由上至下依次层叠设置的抗反射层、钙钛矿材料层、TiO2层、III-V族太阳能电池和DBR层。
2.根据权利要求1所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层为仿生蛾眼结构。
3.根据权利要求1所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层的材料为氮化硅、二氧化硅中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述III-V族太阳能电池为多结太阳能电池。
5.根据权利要求4所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述多结太阳能电池为三结太阳能电池,所述三结太阳能电池包括三个子电池,三个所述子电池的能隙由上至下依次递减。
6.根据权利要求5所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述三结太阳能电池的结构由上至下具体为依次层叠设置的InGaP层、通道层一、GaAs层、通道层二、GaInNAs层、通道层三和GaAs衬底。
7.根据权利要求4所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述多结太阳能电池的结构由上至下具体为依次层叠设置的AlIn窗口层、InGaP发射层、InGaP基区层、AlGaInP背表面电场层、第一隧道结、InGaP窗口层、InGaAs发射层、InGaAs基区层、AlGaP背表面电场层、第二隧道结、InGaAs缓冲层、InGaP异质层、Ge基区层和Ge背表面电场层。
8.根据权利要求4所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述多结太阳能电池的结构由上至下具体为依次层叠设置的p-AlGaAs窗口层、p-GaAs发射层、n-GaAs基区层;所述DBR层的下方还设置有n-GaAs衬底。
9.根据权利要求4所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述多结太阳能电池的结构由上至下具体为依次层叠设置的覆盖层、窗口层、InGaAs n型发射层、InGaAs p型基区层、背表面电场层、隧道结、缓冲层、Ge n型扩散层、Ge p型衬底。
10.根据权利要求4所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述多结太阳能电池的结构由上至下具体为依次层叠设置的n-AlInP窗口层、n-InGaP发射层、p-InGaP基区层、p-AlInP背表面电场层、p-AlGaAs/n-InGap隧道结、n-InGaP窗口层、n-InGaAs发射层、p-InGaAs基区层、p-InGaP背表面电场层、p-GaAs/n-GaAs隧道结、n-InGaAs缓冲层、InGaP层、n-Ge层、p-Ge层。
11.根据权利要求1-10任一项所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层上方还设置有聚光镜模组。
12.根据权利要求11所述的高转换效率的太阳能电池,其特征在于,所述聚光镜模组为菲涅尔透镜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市科创数字显示技术有限公司,未经深圳市科创数字显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811229161.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种全固态光子增强热电子发射器件
- 下一篇:太阳能模块
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





