[发明专利]栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件及其制备方法

权利要求书

1. 一种栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件，包括SiC上AlGaN/GaN衬底、栅极、源极和漏极，其特征在于，所述栅极为掺杂多晶硅，其方块电阻在20~40Ω/□之间，这里所述掺杂多晶硅为注入As杂质离子的多晶硅，离子注入的能量为50 keV ~70keV，剂量为1e¹⁶cm^-2~2e¹⁶cm^-2；

所述掺杂多晶硅的厚度为90-110nm；

所述栅极的宽度在30μm~50μm之间。

2. 一种栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件制备方法，其特征在于，具体步骤为：

在SiC上AlGaN/GaN衬底上光刻曝光出源极和漏极图形，电子束蒸发金属并快速热退火，形成源极和漏极；

淀积掩蔽层，曝光出器件台面图形，光刻、刻蚀掩蔽层至AlGaN界面形成栅开口；

淀积多晶硅，进行As杂质离子注入和各项异性刻蚀，并快速热退火，形成方块电阻在20~40Ω/□之间的掺杂多晶硅，作为栅极；其中，所述离子注入的能量为50 keV ~70keV，剂量为1e¹⁶ cm^-2~2e¹⁶cm^-2。

3. 根据权利要求2所述的栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件制备方法，其特征在于，所述栅极的宽度在30μm ~50μm之间。

4. 根据权利要求3所述的栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件制备方法，其特征在于，所述金属为Au/Ni/Al/Ti，自下而上依次为20 nm厚的Ti层、120 nm厚的Al层、55nm厚的Ni层和65nm厚的Au层。

5. 根据权利要求4所述的栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件制备方法，其特征在于，在所述形成源极和漏极的步骤中，在800~850℃快速热退火45-55s以获得源漏极欧姆接触。

6. 根据权利要求4所述的栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件制备方法，其特征在于，所述掺杂多晶硅的厚度为90-110nm。

7. 根据权利要求4所述的栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件制备方法，其特征在于，对所述掺杂多晶硅在1100℃~1300℃之间进行25-35s快速热退火，以激活As杂质。