[发明专利]半导体器件及其制造方法和测试方法在审
| 申请号： | 201811224706.0 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111081677A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 胡滨 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 测试 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
晶圆；
划片道，所述划片道相互垂直分布，将所述晶圆分隔成若干芯片；
时钟倍频电路，设于所述划片道内，其输出端与所述芯片连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述时钟倍频电路的时钟信号的频率大于或等于所述芯片工作时的时钟信号的频率。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述时钟倍频电路包括或非门电路或锁相环路。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片包括DRAM芯片、NAND芯片或NOR芯片。
5.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供晶圆；
在所述晶圆上设置多个划片道，所述划片道相互垂直分布，将所述晶圆分隔成若干芯片；
在所述划片道内形成时钟倍频电路，所述时钟倍频电路的输出端与所述芯片连接。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述时钟倍频电路的时钟信号的频率大于或等于所述芯片工作时的时钟信号的频率。
7.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述时钟倍频电路包括或非门电路或锁相环路。
8.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述芯片包括DRAM芯片、NAND芯片或NOR芯片。
9.一种半导体器件的测试方法，用于测试权利要求1～4任意一项所述的半导体器件，其特征在于，包括：
将测试设备连接于所述时钟倍频电路的输入端，倍频电路的输出端连接至少一个芯片，对芯片进行测试。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的测试方法，其特征在于，所述测试设备包括集成电路自动测试机。
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