[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 201811222092.2 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN109378333B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 李东升;王路;吴慧利;贺芳;尹东升;黎午升;姚琪;赵伟利;于美娜;张丽蕾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括相对设置的第一基底和第二基底,所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧设置有多个亚像素单元,所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧设置有多个光检测单元,所述光检测单元与所述亚像素单元对应设置;所述光检测单元用于获取对应的所述亚像素单元发出的光信号,并将所述光信号转换为电信号。本发明所提供的显示面板及显示装置,能够实时检测亚像素的光强变化,实时对亚像素进行补偿,从而达到改善显示器件的显示状态的目的。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
在有机发光二极管(OLED)显示器件中,尤其是氧化物有机发光二极管(OxideOLED)显示器件的制作中,除了像素内部设计补偿电路外,通常需要在伽马(Gamma)调试完毕后,利用电荷耦合器件(CCD)进行一次像素(pixel)级精准的光学校对,进行像素电路的外部电学补偿,补偿阈值电压(Vth)的偏移。但此种补偿方法不能实时侦测每个亚像素的光强变化,导致OLED显示器件不能到达最佳显示状态。
发明内容
本发明旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一,提供一种显示面板及显示装置,用于实现实时检测亚像素的光强变化,实时对亚像素进行补偿,从而达到改善显示器件的显示状态的目的。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示面板,该显示面板包括相对设置的第一基底和第二基底,所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧设置有多个亚像素单元,所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧设置有多个光检测单元,所述光检测单元与所述亚像素单元对应设置;
所述光检测单元用于获取对应的所述亚像素单元发出的光信号,并将所述光信号转换为电信号。
可选地,所述光检测单元的远离所述第二基底的一侧设置有透反光结构,所述透反光结构用于将所述亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中的部分进行透射、另一部分进行反射。
可选地,所述亚像素单元包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层;
所述透反光结构包括遮光层,所述遮光层设置于所述光检测单元与所述第二电极之间,所述遮光层中设置有对应所述亚像素单元设置的多个开口区域。
可选地,所述亚像素单元包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层,所述第二电极能够将所述亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中的部分进行透射、另一部分进行反射,所述透反光结构包括所述第二电极。
可选地,所述第二电极包括第一子电极和第二子电极,所述有机发光层位于所述第一子电极和所述第一电极之间,所述第二子电极位于所述第一子电极的远离所述有机发光层的一侧。
可选地,所述第一子电极的材料为透明导电材料,所述第二子电极的材料为金属材料。
可选地,所述光检测单元包括第二薄膜晶体管、第三电极、第四电极和光电转换层,所述第三电极与所述第二薄膜晶体管连接,所述光电转换层位于所述第三电极和第四电极之间。
可选地,所述光电转换层的材料为Si、有机光敏材料或者铜铟镓硒。
可选地,所述光电转换层与所述亚像素单元一一对应设置,且所述光电转换层在第二基底上的正投影与对应的亚像素单元在第二基底上的正投影至少部分重叠;或者,
所述光电转换层与全部所述亚像素单元对应设置,且所述光电转换层在第二基底上的正投影覆盖全部所述亚像素单元在第二基底上的正投影。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的显示面板。
本发明的有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的