[发明专利]磷掺杂MoS2有效

专利信息
申请号: 201811221414.1 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN109326784B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 李丹;张岩;苏行;张建民;李勇盛 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/58;H01M4/583;H01M10/054
代理公司: 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 代理人: 宋巧兰
地址: 450001 *** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 掺杂 mos base sub
【权利要求书】:

1.磷掺杂MoS2负载石墨烯纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)制备氧化石墨烯;

(2)采用水热法将Mo源负载在氧化石墨烯上制备MoS2负载石墨烯;

(3)采用气相沉积法将磷掺杂到MoS2负载石墨烯上,获得磷掺杂MoS2负载石墨烯纳米片;

所述步骤(3)的具体过程为:将步骤(2)制备的MoS2负载石墨烯和磷源分别放置在瓷舟中,将两个瓷舟上下放置在管式炉中,在惰性气体保护下煅烧,获得磷掺杂MoS2负载石墨烯纳米片;

所述步骤(2)的具体过程为:将步骤(1)制得的氧化石墨烯超声分散在去离子水中,再加入四水合钼酸铵,搅拌均匀后加入硫脲形成混合溶液;将上述混合溶液转移至反应釜中,在200℃下恒温24 h;反应结束后,用去离子水洗涤,真空冷冻干燥获得MoS2负载石墨烯;

所述步骤(3)中磷源为次磷酸钠,MoS2负载石墨烯与次磷酸钠的质量比为1:5~1:20;

所述步骤(3)中惰性气体为氩气或氮气;

所述步骤(3)中MoS2负载石墨烯处于次磷酸钠的上方;

所述步骤(3)中的煅烧条件为:升温速率为2℃/min,温度为300~350℃下煅烧3~4 h。

2.根据权利要求1所述的磷掺杂MoS2负载石墨烯纳米片的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中所制备的氧化石墨烯的表面带负电。

3. 根据权利要求1所述的磷掺杂MoS2负载石墨烯纳米片的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)的具体过程为:将质量浓度为98%的浓硫酸放置在冰水浴中,往浓硫酸中加入鳞片石墨,搅拌20~30 min;然后再加入高锰酸钾,搅拌1~3 h后,转移到35℃的恒温水浴锅中匀速搅拌,直至溶液变成粘稠的黄褐色;反应结束后往溶液中加入去离子水并不断搅拌,直至冷却至室温;再加入质量分数为30%的H2O2,搅拌均匀,最后用质量分数为5%的稀盐酸和去离子水洗涤,真空冷冻干燥,获得氧化石墨烯。

4.一种如权利要求1~3任一项所述的磷掺杂MoS2负载石墨烯纳米片的制备方法制备的磷掺杂MoS2负载石墨烯纳米片。

5.如权利要求1~3任一项所述的磷掺杂MoS2负载石墨烯纳米片的制备方法制备的磷掺杂MoS2负载石墨烯纳米片作为电极材料在钠离子电池中的应用。

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