[发明专利]含粘附促进中间层和软烧结钙钛矿活性层的X射线图像传感器在审
| 申请号: | 201811220208.9 | 申请日: | 2018-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN109698210A | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
| 发明(设计)人: | R.费希尔;A.格雷戈里;J.E.胡尔德勒;C.蒙特内格罗贝纳维德斯;S.F.泰德 | 申请(专利权)人: | 西门子保健有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钙钛矿 中间层 粘附 像素化平板 底部电极 顶部电极 光活性层 空穴阻挡 直接转化 烧结 活性层 传感器 半导体 添加剂 阻挡 制造 | ||
1.X射线检测器,其包括:
-顶部电极;
-包含至少一种钙钛矿的直接转化层;和
-底部电极,
其中X射线检测器还包括位于顶部电极和直接转化层之间或底部电极和直接转化层之间的包含电子阻挡材料的电子阻挡中间层和/或位于底部电极和直接转化层之间或顶部电极和直接转化层之间的包含空穴阻挡材料的空穴阻挡中间层,其中电子阻挡中间层和空穴阻挡中间层中的至少一个包含选自以下的粘附促进添加剂:糖类和/或其衍生物,优选糖和/或其衍生物,更优选糖和/或糖醇,甚至更优选山梨糖醇、木糖醇、葡萄糖;和/或氨基树脂,优选脲甲醛树脂和/或三聚氰胺树脂;酚树脂,优选苯酚甲醛树脂;环氧树脂,优选无溶剂环氧胶;天然树脂;和/或基于丙烯酸的粘合剂。
2.权利要求1的X射线检测器,其中直接转化层具有大于100μm的厚度。
3.权利要求1或2的X射线检测器,其中直接转化层通过烧结包含钙钛矿粉末的检测材料来制备。
4.前述权利要求中任一项的X射线检测器,其中粘附促进添加剂在电子阻挡中间层和/或空穴阻挡中间层中的含量范围为0.3至97.5重量%、优选1.5至90重量%、更优选3至79重量%,基于相应的电子阻挡中间层和/或空穴阻挡中间层的总重量计。
5.前述权利要求中任一项的X射线检测器,其中顶部电极和/或底部电极包含导电金属氧化物、聚合物和/或金属。
6.前述权利要求中任一项的X射线检测器,其中电子阻挡中间层和/或空穴阻挡中间层具有>104Ohm·cm的电阻率。
7.前述权利要求中任一项的X射线检测器,其是数字平板X射线检测器。
8.制备X射线检测器的方法,该X射线检测器包括:
-顶部电极;
-包含至少一种钙钛矿的直接转化层;和
-底部电极,
其中X射线检测器还包括位于顶部电极和直接转化层之间或底部电极和直接转化层之间的包含电子阻挡材料的电子阻挡中间层和/或位于底部电极和直接转化层之间或顶部电极和直接转化层之间的包含空穴阻挡材料的空穴阻挡中间层,其中电子阻挡中间层和空穴阻挡中间层中的至少一个包含选自以下的粘附促进添加剂:糖类和/或其衍生物,优选糖和/或其衍生物,更优选糖和/或糖醇,甚至更优选山梨糖醇、木糖醇、葡萄糖;和/或氨基树脂,优选脲甲醛树脂和/或三聚氰胺树脂;酚树脂,优选苯酚甲醛树脂;环氧树脂,优选无溶剂环氧胶;天然树脂;和/或基于丙烯酸的粘合剂;
该方法包括:
-提供底部电极;
-在底部电极的顶上施加包含空穴阻挡材料和粘附促进添加剂的空穴阻挡中间层,或包含电子阻挡材料和粘附促进添加剂的电子阻挡中间层;
-在包含空穴阻挡材料和粘附促进添加剂的空穴阻挡中间层的顶上,或在包含电子阻挡材料和粘附促进添加剂的电子阻挡中间层的顶上施加包含至少一种钙钛矿的直接转化层;
-任选地施加包含电子阻挡材料和任选地粘附促进添加剂的电子阻挡中间层,或包含空穴阻挡材料和任选地粘附促进添加剂的空穴阻挡中间层;和
-施加顶部电极。
9.权利要求8的方法,其中通过烧结包含钙钛矿粉末的检测材料来施加包含至少一种钙钛矿的直接转化层。
10.权利要求9的方法,其中烧结在-100℃和300℃之间的温度下和/或在10MPa和600MPa之间的压力下进行。
11.权利要求8至10中任一项的方法,其中粘附促进添加剂在电子阻挡中间层和/或空穴阻挡中间层中的含量范围为0.3至97.5重量%、优选1.5至90重量%、更优选3至79重量%,基于相应的电子阻挡中间层和/或空穴阻挡中间层的总重量计。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





