[发明专利]一种硅片晶圆激光切割工艺

权利要求书

1.一种硅片晶圆激光切割工艺，其特征在于，包括如下步骤：

（1）准备工作：穿好工作衣`工作鞋，带好工作帽和工作手套，清扫工作场地，整理划片设备以及划片工具；

（2）对来料进行检验：检验内容包括，芯片无碎裂现象；

（3）划片操作：具体步骤依次包括，

A按“激光划片机操作规程”开启激光划片机,戴上激光防护眼镜；

B将待切割芯片背面向上放在划片机平台上，紧贴着基准靠山；

C启动切割程序，使激光划片机处于工作状态，调节激光器上微动旋钮，使激光的焦点上下移动；

D调节切割机电流旋钮调节电流强度，使切割的硅片易于用手掰开；

E调节好以后即可以进行划片；

F对划好的芯片进行逐片自检，使划出的芯片基本符合尺寸要求，所述误差不超过0.2毫米。

2.根据权利1所述的一种硅片晶圆激光切割工艺，其特征在于，在步骤中C中，当激光打在芯片上散发的火花绝大部分向上窜并听到清脆的切割声音时即焦距调好。

3.根据权利1所述的一种硅片晶圆激光切割工艺，其特征在于，在步骤中，在步骤2中，每片不超过2个大于1mm的缺角或者缺块，每片细栅断线不超过1根，断线长度不超过1毫米。