[发明专利]一种等离子体工艺方法

权利要求书

1.一种等离子体工艺方法，利用至少一对主电源与从电源激发等离子体；其中，所述等离子体工艺方法包括：至少一个工艺步骤；每个所述工艺步骤分为多个时段，每个所述时段将所述至少一对主电源与从电源的共同激励锁相角度维持在一预定值，以提高所述等离子体的角向分布均匀性；

每个所述工艺步骤中各个所述时段的共同激励锁相角度的预定值呈非周期性的分布。

2.根据权利要求1所述的等离子体工艺方法，其中，每个所述工艺步骤中各个所述时段的共同激励锁相角度的预定值呈台阶式变化。

3.根据权利要求1所述的等离子体工艺方法，其中，所述至少一个工艺步骤包括多个工艺步骤，所述多个工艺步骤同时执行。

4.根据权利要求1所述的等离子体工艺方法，其中，对于每个所述工艺步骤，根据所述工艺步骤的工艺条件确定所述工艺步骤的时段数量、各个时段的工艺时间及其共同激励锁相角度的预定值。

5.根据权利要求4所述的等离子体工艺方法，其中，所述等离子体工艺方法还包括：标定所述工艺条件与所述时段数量、各个时段的工艺时间及其共同激励锁相角度预定值的对应关系。

6.根据权利要求4所述的等离子体工艺方法，其中，所述工艺条件包括工艺类型及其工艺参数；所述工艺类型包括清洗、刻蚀、沉积，所述工艺参数包括工艺气体的类型和流量。

7.根据权利要求1所述的等离子体工艺方法，其中，所述至少一对主电源与从电源包括：一个作为主电源的第一射频电源和一个作为从电源的第二射频电源；

通过调节所述第一射频电源输出波形的相位角和/或调节第二射频电源输出波形的相位角，改变所述第一射频电源与第二射频电源之间的相位差，得到所述共同激励锁相角度的预定值。

8.根据权利要求1所述的等离子体工艺方法，其中，所述至少一对主电源与从电源包括：一个作为主电源的第一射频电源和作为从电源的多个第二射频电源；

通过调节所述第一射频电源输出波形的相位角和/或调节所述多个第二射频电源输出波形的相位角，改变所述第一射频电源与所述多个第二射频电源之间的相位差，得到所述共同激励锁相角度的预定值。

9.根据权利要求1所述的等离子体工艺方法，其中，所述至少一对主电源与从电源包括：顺次排列的多个射频电源，相邻两个所述射频电源形成一对主电源和从电源，且每对主电源和从电源中的前一个射频电源作为主电源，后一个射频电源作为从电源；

通过调节所述主电源输出波形的相位角和/或调节从电源输出波形的相位角，改变所述主电源与从电源之间的相位差，得到所述共同激励锁相角度的预定值。

10.根据权利要求1所述的等离子体工艺方法，其中，所述等离子体工艺方法适用于电感耦合等离子体设备、电容耦合等离子体设备、微波等离子体设备以及电子回旋共振等离子体设备。