[发明专利]参考时钟频率发生器在审

专利信息
申请号: 201811216297.X 申请日: 2018-10-18
公开(公告)号: CN109150173A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 季科夫 申请(专利权)人: 上海安路信息科技有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 上海一平知识产权代理有限公司 31266 代理人: 李夫玲;须一平
地址: 200080 上海市虹口区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 参考时钟频率 发生器 电压控制振荡器 补偿电压 半导体集成电路 外部晶体振荡器 参考频率 幅度控制 频率输出 温度比较 温度补偿 功耗 电路
【权利要求书】:

1.一种参考时钟频率发生器,其特征在于,该参考时钟频率发生器包括:

PTAT电压发生器,用于提供补偿电压;以及

电压控制振荡器,用于根据所述补偿电压产生稳定的频率输出。

2.根据权利要求1所述的参考时钟频率发生器,其特征在于,所述PTAT电压发生器包括带隙电路,所述补偿电压与温度成正比例变化。

3.根据权利要求1所述的参考时钟频率发生器,其特征在于,所述电压控制振荡器产生的频率与温度成正比例变化,所述电压控制振荡器产生的频率与电压成反比例变化,温度和电压通过加权,进行补偿,得到稳定的频率。

4.根据权利要求1所述的参考时钟频率发生器,其特征在于,PTAT电压发生器包括:

PMOS管M1、M3和NMOS管M2;PNP管Q1和Q2;运算放大器AMP;电阻R1、R2、R40和R41;

M1的栅极、M2的栅极和M3的栅极都连接在一起;M1的第一极、M2的第一极和M3的第一极都连接在一起;M1的第二极与AMP的反相输入端连接,M2的第二极与AMP的正相输入端连接,M3的第二极与PTAT电压发生器的输出端VBG连接;其中,第一极为MOS管源极或漏极中的一极,第二极为MOS管源极或漏极中的另一极;

AMP的输出端与M1的栅极连接;

Q1的基极和集电极连接在一起,Q2的基极和集电极连接在一起,Q1的基极和Q2的基极连接在一起;Q1的发射极与AMP的反相输入端连接,Q2的发射极通过R40与AMP的正相输入端连接;

R41连接在AMP的正相输入端与Q2的集电极之间;R1连接在Q1的发射极和集电极之间;R2连接在Q1的集电极和PTAT电压发生器的输出端VBG之间。

5.根据权利要求1所述的参考时钟频率发生器,其特征在于,所述电压控制振荡器包括:

V2I电路,用于将所述补偿电压转换成振荡需要的电流;

振荡电路,用于根据所述电流产生振荡正弦信号;以及

缓冲电路,用于将所述正弦信号转变成满摆幅时钟信号,并且调整占空比。

6.根据权利要求5所述的参考时钟频率发生器,其特征在于,所述振荡电路为环形振荡器电路,所述环形振荡器电路包括:奇数个相位差为180度,且增益大于2的延迟单元。

7.根据权利要求5所述的参考时钟频率发生器,其特征在于,所述振荡电路为LC振荡电路。

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