[发明专利]一种弹坑检测方法在审
| 申请号： | 201811216238.2 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111081571A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 徐志华;张彦;陈玲 | 申请（专利权）人： | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 弹坑 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种弹坑检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、将键合后的制品使用刻刀将基岛取下，所述键合后的制品为铝线铝带键合产品；
步骤二、在高温烧杯内倒入NaOH溶液，并放置在加热炉上加热至80℃，然后放入键合的基岛；
步骤三、等待约20分钟后，将键合的基岛依次放入酒精和纯水清洗后晾干或烘干；
步骤四、将干燥后的键合的基岛在200倍以上显微镜下进行判定并拍照保存，并记录。
2.根据权利1所述的一种弹坑检测方法，其特征在于，上述步骤一中的NaOH溶液浓度为20%的NaOH溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
