[发明专利]一种弹坑检测方法在审
| 申请号： | 201811216209.6 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111081568A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 徐志华;葛建秋;张彦 | 申请（专利权）人： | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 弹坑 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种弹坑检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、将键合后的制品使用刻刀将基岛取下；
步骤二、在小烧杯内倒入混合酸溶液，并在电热板上加热至80℃，然后放入键合的基岛，所述混合溶酸溶液的质量比例为纯水：硝酸：磷酸：醋酸=5%：80%：5%：10%；
步骤三、等待约10分钟后，将键合的基岛洗净并晾干，在200倍以上显微镜下进行判断并拍照保存，并记录；
步骤四、如果弹坑无法判断，则使用20%的NaOH溶液重复步骤二至步骤三的操作。
2.根据权利1所述的一种弹坑检测方法，其特征在于，上述步骤一中的键合后的制品为铜线键合产品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴苏阳电子股份有限公司，未经江阴苏阳电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811216209.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种硅片圆片切刀修正工艺
- 下一篇：一种半导体划片工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
