[发明专利]调平装置及调平方法、半导体处理设备有效

专利信息
申请号: 201811215894.0 申请日: 2018-10-18
公开(公告)号: CN111074238B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 王帅伟;兰云峰;王勇飞 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/458
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 施敬勃
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 平装 平方 半导体 处理 设备
【说明书】:

发明公开了一种调平装置及其调平方法、半导体处理设备。该调平装置,用于对基座相对于腔室的平行度和同轴度进行调节,其包括调平工装,调平工装包括水平安装部、竖直安装部以及连接水平安装部与竖直安装部的竖直连接部;其中,水平安装部的下表面用于与腔室的上表面贴合,竖直安装部的下表面与支撑件的安装面贴合,以使得基座与腔室的平行度满足预设要求,竖直连接部贯穿于腔室的安装孔中,竖直连接部的外周壁与安装孔的内周壁相配合,使得基座与腔室的同轴度满足预设要求。采用调平工装对基座与腔室进行调平、调对中,可以极大简化基座调平调对中的工艺,并且还能够极大地提高基座的安装精度,从而可以有效保证成膜均匀性,提高工艺良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种调平装置及调平方法、一种半导体处理设备。

背景技术

一般地,在半导体行业中,随着电子器件的几何尺寸不断减小以及器件的密集度不断提高,特征尺寸和高宽比变得越来越有挑战性。原子层沉积(Atomic layerdeposition,ALD)就是为了应对这种挑战而提出的一种新的薄膜沉积方法。原子层沉积以其独特的自限制性生长模式,使其具有薄膜生长厚度精确可控、优异的保形性、成分可控等优点,越来越受到全世界科技工作者的关注。

一般地,ALD设备在反应腔室内用于放置衬底的为不同材质的基座,其一般固定在升降机构中,由电机带动丝杠等传动机构控制其工艺位置;机械手将衬底放置于基座上表面后,控制腔室环境后便可以进行成膜工艺。然而,基座的位置精度会直接影响成膜的质量。

相关技术中,为了实现基座的调平、调对中,一般先将基座固定于升降基座上,然后依靠安装于升降机架一套较为复杂的调平机构上进行操作。调平机构较为复杂,安装、操作技术要求水平高,不仅影响安装效率,而且不同的人员操作安装效果不同,难以保证质量。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种调平装置及调平方法、半导体处理设备。

为了实现上述目的,本发明的第一方面,提供了一种调平装置,用于对基座相对腔室的平行度和同轴度进行调节,所述调平装置包括调平工装,所述调平工装包括水平安装部、竖直安装部以及连接所述水平安装部与所述竖直安装部的竖直连接部;其中,

所述水平安装部的下表面用于与腔室的上表面相贴合,所述竖直安装部的下表面用于与支撑所述基座的支撑件的安装面相贴合,以使得所述基座与所述腔室的平行度满足预设要求;

所述竖直连接部贯穿于所述腔室的安装孔中,并且,所述竖直连接部的外周壁与所述安装孔的内周壁相配合,以使得所述基座与所述腔室的同轴度满足预设要求。

可选地,所述竖直安装部包括与所述竖直连接部连接的第一安装部以及自所述第一安装部向外侧延伸形成的第二安装部,所述第二安装部的下表面与所述支撑件的安装面相贴合。

可选地,所述调平装置还包括压环和紧固件,所述压环叠置在所述第二安装部的上表面,所述紧固件依次穿过所述压环、所述第二安装部至所述支撑件内,以使得所述第二安装部的下表面与所述支撑件的安装面相贴合。

可选地,所述调平装置还包括机架和至少一个锁紧组件,所述机架通过所述锁紧组件固定于所述腔室的下表面上。

可选地,所述锁紧组件包括双头螺栓、螺母和紧固螺钉;其中,

所述双头螺栓的一端与所述腔室的下表面连接,另一端通过所述螺母固定在所述机架上;

所述紧固螺钉位于所述双头螺栓的一侧,所述紧固螺钉穿过所述机架至所述腔室内。

可选地,所述锁紧组件包括双头螺柱和两个锁紧螺母;其中,

所述双头螺柱的一端穿过所述机架至所述腔室内,所述双头螺柱的另一端延伸出所述机架外部;

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