[发明专利]一种窗口层表面粗化的发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种窗口层表面粗化的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在一衬底的一侧表面依次叠加形成布拉格反射镜层、第一掺杂类型限制层、MQW有源层、第二掺杂类型限制层和窗口层；

在所述窗口层背离所述衬底一侧形成掩膜层；

对反应腔内的温度进行升温控制，以使所述掩膜层变换为多个颗粒状的凸起，并对所述窗口层未被所述凸起覆盖区域进行腐蚀，且去除所述凸起得到表面粗化的所述窗口层；

在所述窗口层背离所述衬底一侧形成第一电极，且在所述衬底背离所述窗口层一侧形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的窗口层表面粗化的发光二极管的制作方法，其特征在于，对反应腔内的温度进行升温控制，以使所述掩膜层变换为多个颗粒状的凸起，并对所述窗口层未被所述凸起覆盖区域进行腐蚀，且去除所述凸起得到表面粗化的所述窗口层，包括：

对反应腔内的温度进行升温控制的同时，在所述反应腔内通入腐蚀气体，其中，在所述掩膜层变换为多个颗粒状的凸起的过程中，所述腐蚀气体同时对所述掩膜层进行腐蚀减薄，且在所述凸起形成完毕后对所述窗口层未被所述凸起覆盖区域进行腐蚀，同时继续腐蚀所述凸起，以去除所述凸起得到表面粗化的所述窗口层。

3.根据权利要求1所述的窗口层表面粗化的发光二极管的制作方法，其特征在于，对反应腔内的温度进行升温控制，以使所述掩膜层变换为多个颗粒状的凸起，并对所述窗口层未被所述凸起覆盖区域进行腐蚀，且去除所述凸起得到表面粗化的所述窗口层，包括：

对反应腔内的温度进行升温控制，以使所述掩膜层变换为多个颗粒状的凸起；

对所述反应腔内通入腐蚀气体，所述腐蚀气体对所述窗口层未被所述凸起覆盖区域进行腐蚀；

停止通入所述腐蚀气体，且采用刻蚀工艺去除所述凸起得到表面粗化的所述窗口层。

4.根据权利要求3所述的窗口层表面粗化的发光二极管的制作方法，其特征在于，采用刻蚀工艺去除所述凸起得到表面粗化的所述窗口层，包括：

采用湿法刻蚀工艺将所述凸起去除。

5.根据权利要求2-4任意一项所述的窗口层表面粗化的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述窗口层为GaP窗口层；

其中，所述腐蚀气体为包括卤素原子的腐蚀气体。

6.根据权利要求1所述的窗口层表面粗化的发光二极管的制作方法，其特征在于，在得到表面粗化的所述窗口层后，且在形成所述第一电极和第二电极前，还包括：

在所述窗口层背离所述衬底一侧形成电流扩展层。

7.根据权利要求1或6所述的窗口层表面粗化的发光二极管的制作方法，其特征在于，在得到表面粗化的所述窗口层后，且在下一制程前，还包括：

采用湿法刻蚀工艺对所述窗口层背离所述衬底一侧刻蚀一凹槽。

8.根据权利要求1所述的窗口层表面粗化的发光二极管的制作方法，其特征在于，对所述反应腔内的温度进行升温控制的时间范围为2min-60min，包括端点值。

9.一种窗口层表面粗化的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管采用权利要求1-8任意一项所述的窗口层表面粗化的发光二极管的制作方法制作而成。

10.根据权利要求9所述的窗口层表面粗化的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为AlGaInP四元发光二极管。