[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括：源漏极层，源漏极层包括源极和漏极；有源层，位于源漏极层之上，有源层与源极、漏极相邻的侧面，以及源极、漏极的上表面接触。由于有源层与源极、漏极相邻的侧面，以及源极、漏极的上表面均接触，使得相对于现有技术中源极、漏极通过过孔与有源层接触的技术方案，极大地增加了源极、漏极与有源层的接触面积，降低了接触电阻，从而提高了薄膜晶体管的响应速度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

在各种显示装置中，例如液晶电视、智能手机、平板电脑、数码相机、自助存取款机等，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)一般用作开关元件来控制像素，或是用作驱动元件来驱动像素。

现有TFT的结构如图1所示，包括具有源极1011和漏极1012的源漏极层101、有源层102、栅极103、栅绝缘层104和层间介电层105’。然而，因源极1011和漏极1012分别与有源层102经由过孔连接，致使源极1011、漏极1012与有源层102之间的接触面积有限，导致接触电阻较大，极大地降低了TFT的响应速度。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置，用以提高薄膜晶体管的响应速度。

因此，本发明实施例提供的一种薄膜晶体管，包括：

源漏极层，所述源漏极层包括源极和漏极；

有源层，位于所述源漏极层之上，所述有源层与所述源极、所述漏极相邻的侧面，以及所述源极、所述漏极的上表面接触。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，还包括：依次位于所述有源层之上的栅绝缘层和栅极。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，还包括：位于所述源漏极层之下的栅极，以及位于所述源漏极层和所述栅极之间的栅绝缘层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述有源层的材质为多晶硅，且所述有源层与所述源漏极层的接触面具有欧姆接触层，所述欧姆接触层为通过对非晶硅进行激光退火形成所述低温多晶硅的同时，退火在界面处形成金属硅化物，该金属硅化物为所述欧姆接触层。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成源漏极层，所述源漏极层包括源极和漏极；

在所述源漏极层上形成有源层，所述有源层与所述源极、所述漏极相邻的侧面，以及所述源极、所述漏极背离所述衬底基板一侧的表面接触。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在所述源漏极层上形成有源层，具体包括：

在所述源漏极层上沉积非晶硅层；

对形成有所述源漏极层和所述非晶硅层的衬底基板进行激光退火处理，形成多晶硅层以及所述多晶硅层与所述源漏极层的接触面的金属硅化物层，作为欧姆接触层；

对所述多晶硅层构图形成所述有源层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在所述源漏极层上形成有源层，具体包括：

在所述源漏极层上沉积非晶硅层；

对所述非晶硅层构图形成非晶硅图案；