[发明专利]一种全彩显像LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种全彩显像LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

设置在表面的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；

切割道，所述切割道的形状为V形，所述切割道将外延层分割成多个独立的三角形发光微结构；

依次设置在第二半导体层上的透明导电层、绝缘层和反射层；

设置第一半导体层上的第一电极，贯穿反射层和绝缘层并设置在透明导电层上的第二电极；

设置在第一电极上的第一焊盘，设置在第二电极上的第二焊盘；

依次设置在衬底背面的荧光粉层。

2.如权利要求1所述的全彩显像LED芯片，其特征在于，所述切割道延伸至衬底表面或第一半导体层。

3.如权利要求1所述的全彩显像LED芯片，其特征在于，所述切割道将外延层分割成依次相邻的第一发光微结构、第二发光微结构和第三发光微结构，所述荧光粉层包括绿光荧光粉层和红光荧光粉层，其中，绿光荧光粉层设置在第二发光微结构的衬底背面，红光荧光粉层设置在第三发光微结构的衬底背面。

4.如权利要求3所述的全彩显像LED芯片，其特征在于，第一发光微结构、第二发光微结构和第三发光微结构的发光面积相同。

5.如权利要求3所述的全彩显像LED芯片，其特征在于，第一发光微结构、第二发光微结构和第三发光微结构的第一电极为整体结构，三者的第二电极为独立结构。

6.一种全彩显像LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；

对所述外延层进行刻蚀，形成V形的切割道，所述切割道将外延层分割成多个独立的三角形发光微结构；

对外延层进行刻蚀，形成贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层的裸露区域；

在第二半导体层上形成透明导电层；

在裸露区域的第一半导体层上形成第一电极，在所述透明导电层上形成第二电极，得到多个独立的LED晶圆；

在LED晶圆的表面依次沉积形成绝缘层和反射层；

对所述反射层和绝缘层进行刻蚀，将第一电极和第二电极裸露出来；

在第一电极上形成第一焊盘，在第二电极上形成第二焊盘；

对准不同的LED晶圆，在衬底的背面涂覆不同的荧光粉，以形成红、绿、蓝LED晶圆，从而形成全彩显像LED芯片。

7.如权利要求6所述的全彩显像LED芯片的制作方法，其特征在于，所述外延层的形状为梯形。

8.如权利要求6所述的全彩显像LED芯片的制作方法，其特征在于，所述切割道延伸至衬底表面或第一半导体层。

9.如权利要求6所述的全彩显像LED芯片的制作方法，其特征在于，所述切割道将外延层割成依次相邻的第一发光微结构、第二发光微结构和第三发光微结构，其中，在第二发光微结构的衬底背面涂覆绿光荧光粉，在第三发光微结构的衬底背面涂覆红光荧光粉。

10.如权利要求6所述的全彩显像LED芯片的制作方法，其特征在于，第一发光微结构、第二发光微结构和第三发光微结构的发光面积相同。