[发明专利]一种微小型镀膜原子气室封装工艺有效
申请号: | 201811208592.0 | 申请日: | 2018-10-17 |
公开(公告)号: | CN111058013B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 秦杰;田晓倩;王宇虹;万双爱;刘建丰;孙晓光 | 申请(专利权)人: | 北京自动化控制设备研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/56 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 孙成林 |
地址: | 100074 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微小 镀膜 原子 封装 工艺 | ||
本发明公开了一种微小型镀膜原子气室封装工艺,它包括如下步骤:第一步:采用“Piranha”溶液清洗气室内壁;第二步:用纯净水冲洗;第三步:对气室进行烘干和除气处理;第四步:将气室接入真空系统、充气;第五步:镀膜气室封装。其优点是:1)利用液氮对膜层起到了有效的保护作用,降低了气室内壁温度应力,避免了高温火焰对膜层的破坏,提高了气室的抗弛豫特性,进而提高了核磁共振陀螺、原子磁强计的性能;2)利用小火焰下台,火焰尺寸降到与气室尺寸相比拟的状态,从而降低了火焰对气室破坏,保护了膜层。微小型镀膜原子气室封装工艺,解决了微小型镀膜原子气室在封装过程中膜层被破坏的问题,实现了膜层的保护,提高了气室膜层的抗弛豫特性。
技术领域
本发明属于一种镀膜原子气室封装工艺,具体涉及一种微小型镀膜原子气室封装工艺。
背景技术
核磁共振陀螺及原子磁强计中的原子气室与内部原子构成敏感表头,是其核心部件之一。原子气室内,原子维持极化态的能力直接影响核磁共振陀螺及原子磁强计的性能。随着核磁共振陀螺及原子磁强计尺寸的降低,气室体积的减小导致电子自旋、核自旋与气室内壁的碰撞速率增加,弛豫时间变短,现阶段主要通过在原子气室内壁镀膜实现气室的抗弛豫性能,但在气室封装过程中,对膜层破坏性比较大,影响膜层的抗弛豫性能,从而制约核磁共振陀螺、原子磁强计性能的进一步提高。本发明通过对镀膜原子气室进行保护,利用工装及选择合适火焰,可有效实现对镀膜原子气室封装,减小对膜层的破坏。
发明内容
本发明的目的在于提供一种微小型镀膜原子气室封装工艺,它能够提高原子气室抗弛豫能力,满足高精度核磁共振陀螺、高精度原子磁强计对气室性能提出的要求,进而提高核磁共振陀螺及原子磁强计的精度。
本发明的技术方案如下:一种微小型镀膜原子气室封装工艺,它包括如下步骤:
第一步:采用“Piranha”溶液清洗气室内壁;
第二步:用纯净水冲洗;
第三步:对气室进行烘干和除气处理;
第四步:将气室接入真空系统、充气;
第五步:镀膜气室封装。
所述的第一步包括配制“Piranha”溶液,将体积比为3:7的过氧化氢溶液和98%的浓硫酸混合,搅拌均匀,将“Piranha”溶液注入气室内,将气室浸入“Piranha”溶液中。
所述的第二步包括用电导率≤0.5μs/cm的纯净水冲洗气室至少三遍。
所述的第三步包括清洗完成后,将气室放在烘箱中,烘烤温度为至少100℃,除去气室表面的水分,然后放入除气炉,除气炉温度高于400℃,对气室进行高温除气。
所述的第四步包括将镀膜后的气室接入真空度≤10-6Pa的真空系统,并充入所需的碱金属和气体。
所述的第五步包括将气室用液氮冷却,温度为-196℃,加入夹持工装,利用小火焰,直径约5mm,火焰温度为至少800℃,将气室从真空台上钳下,进行封装。
本发明的有益效果在于1)利用液氮对膜层起到了有效的保护作用,降低了气室内壁温度应力,避免了高温火焰对膜层的破坏,提高了气室的抗弛豫特性,进而提高了核磁共振陀螺、原子磁强计的性能;2)利用小火焰下台,火焰尺寸降到与气室尺寸相比拟的状态,从而降低了火焰对气室破坏,保护了膜层。微小型镀膜原子气室封装工艺,解决了微小型镀膜原子气室在封装过程中膜层被破坏的问题,实现了膜层的保护,提高了气室膜层的抗弛豫特性。
附图说明
图1为本发明所提供的一种微小型镀膜原子气室封装工艺所使用的一种装置示意图。
具体实施方式
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的