[发明专利]一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811205139.4 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109066292A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流限制层 电流注入区域 垂直腔面发射激光器芯片 发光层 衬底 多层 限流 制备 垂直腔面发射激光器 衬底背面 出光孔 单模 申请 | ||
1.一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，包括：
衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层；所述衬底背面形成有N型电极层；
所述电流限制层包括形成于所述发光层上的第一电流限制层和形成于所述第一电流限制层上第二电流限制层；
所述第一电流限制层包括第一电流注入区域；所述第二电流限制层包括与所述第一电流注入区域对应的第二电流注入区域，所述第一电流注入区域的横截面积小于所述第二电流注入区域的横截面积；
所述P型电极层包括与所述第二电流注入区域对应的出光孔。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述P型层包括形成于所述电流限制层上的P-DBR层和形成于所述P-DBR层上的欧姆接触层。
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述P-DBR层包括多层交替的砷化铝层和砷化铝镓层。
4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述N型层为N-DBR层，所述N-DBR层包括多层交替的砷化铝层和砷化铝镓层。
5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一电流注入区域为第一圆柱区域，所述第一圆柱区域的直径范围为3-5um。
6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二电流注入区域为第二圆柱区域，所述第二圆柱区域的直径范围为5-15um。
7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述出光孔的横截面积小于所述第二电流注入区域的横截面积。
8.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述发光层为量子阱结构。
9.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二电流限制层的厚度范围为20-40nm。
10.一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次形成N型层和发光层；
在所述发光层上形成第一电流限制层，向所述第一电流限制层进行离子注入，使得未注入的区域形成第一电流注入区域；
在所述第一电流限制层上形成第二电流限制层，使得所述第二电流限制层形成与所述第一电流注入区域对应的第二电流注入区域，且所述第一电流注入区域的横截面积小于所述第二电流注入区域的横截面积；
在所述第二电流限制层上依次形成P型层和P型电极层，使得所述P型电极层形成与所述第二电流注入区域对应的出光孔；
在所述衬底背面形成N型电极层。
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