[发明专利]发光二极管和包括发光二极管的发光显示装置

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

彼此相对的第一电极和第二电极；

在所述第一电极和所述第二电极之间的空穴传输层；和

在所述第一电极和所述空穴传输层之间或者在所述第二电极和所述空穴传输层之间的发光材料层，

其中所述空穴传输层包括化学式1即A:M₁:M₂的无机化合物，其中A是半导体纳米颗粒，M₁与M₂彼此不同且为对A进行掺杂的金属正离子，

其中化学式1的A为包括II-VI族、III-V族、IV-VI族或I-III-VI族的半导体纳米颗粒。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中M₁与M₂中的每一个选自由过渡金属正离子、贱金属正离子、稀土金属正离子和镧系金属正离子构成的集合。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其中M₁与M₂中的每一个选自由Ni²⁺、Mn²⁺、Pb²⁺、Cu⁺、Cu²⁺、Co²⁺、Al³⁺、Eu³⁺、In³⁺、Ce³⁺、Er³⁺、Tb³⁺、Nd³⁺、Y³⁺、Cd²⁺和Sm³⁺构成的集合。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述空穴传输层包括：

在所述第一电极和所述第二电极之间的空穴注入层；和

在所述空穴注入层和所述第二电极之间且由化学式1的无机化合物制成的空穴传输层。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其中在所述空穴注入层和所述第二电极之间的空穴传输层包括：

在所述空穴注入层和所述第二电极之间且由有机材料制成的第一空穴传输层；和

在所述第一空穴传输层和所述第二电极之间且由化学式1的无机化合物制成的第二空穴传输层。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述空穴传输层包括：

在所述第一电极和所述第二电极之间的空穴注入层；和

在所述空穴注入层和所述第一电极之间且由化学式1的无机化合物制成的空穴传输层。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其中在所述空穴注入层和所述第一电极之间的空穴传输层包括：

在所述空穴注入层和所述第一电极之间且由有机材料制成的第一空穴传输层；和

在所述第一空穴传输层和所述第一电极之间且由化学式1的无机化合物制成的第二空穴传输层。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其中M₁和M₂的每一个选自由过渡金属正离子和镧系金属正离子构成的集合。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述发光材料层包括无机发光颗粒。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其中所述无机发光颗粒具有核-壳结构。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其中化学式1的A由与所述壳相同的材料制成。

12.如权利要求10所述的发光二极管，其中化学式1的A是选自由ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdZnS、GaP及其组合物构成的集合的半导体纳米颗粒。

13.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述半导体纳米颗粒包括纳米无机颗粒，其具有与所述发光材料层的HOMO能级相同的价带能级。