[发明专利]显示面板、等离子体蚀刻方法以及系统在审

申请号：	201811203968.9	申请日：	2018-10-16
公开（公告）号：	CN109461743A	公开（公告）日：	2019-03-12
发明（设计）人：	张朋宾	申请（专利权）人：	武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L21/77;H01L21/67;H01J37/32
代理公司：	深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300	代理人：	黄威
地址：	430079 湖北省武汉市东湖新技术***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	等离子体蚀刻显示面板腐蚀基板等离子体蚀刻装置等离子体金属膜层表面化学反应图案化处理后处理处理容器导电线路含氯气体含氧气体金属膜层氧气产生真空条件搬入氢氟替换
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【说明书】：

本发明提供一种显示面板、等离子体蚀刻方法以及系统，在利用含氯气体对所述基板上的金属膜层进行第一等离子体蚀刻以形成导电线路的图案化处理之后，在真空条件下将第一等离子体蚀刻后的基板搬入第二等离子体蚀刻装置的处理容器内，利用含氧气体和含氢氟气体的等离子体进行用于抑制腐蚀的后处理；这样将金属膜层表面的AlCl_X替换为AlF_X，因为AlF_X不会与空气中的水分和氧气产生化学反应，进而就不会对Al层产生腐蚀，解决了现有等离子体蚀刻技术存在Al层腐蚀的技术问题。

技术领域

本发明涉及蚀刻领域，尤其涉及一种显示面板、等离子体蚀刻方法以及系统。

背景技术

用于低温多晶硅(LTPS)或主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)阵列基板上的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)通过在玻璃基板等基板上一边对栅极或栅绝缘膜、半导体层等进行图案化，一边依次层叠而形成。

例如，在制造沟道蚀刻的底栅侧结构的TFT时，在玻璃基板上依次形成栅极、栅绝缘膜、氧化物半导体膜后，在氧化物半导体膜上形成金属膜，然后，对该金属膜层进行等离子体蚀刻形成源极和漏极。作为成为源极和漏极的金属膜，通常使用Ti/Al/Ti膜层，使用含氯气体，例如氯气作为蚀刻气体。在使用氯气(Cl₂)对Ti/Al/Ti膜层进行干蚀刻后，Cl与Al会以AlCl_X(以AlCl₃为主)的形式附着在Ti/Al/Ti膜层的表面。

在移出蚀刻系统之后，Ti/Al/Ti膜层表面的AlCl_X将接触到空气，会与空气中的水分和氧气产生化学反应，对Al层产生腐蚀。

即，现有等离子体蚀刻存在Al层腐蚀的技术问题。

发明内容

本发明提供一种显示面板、等离子体蚀刻方法以及系统，以解决现有等离子体蚀刻存在的Al层腐蚀的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供了一种显示面板，其包括：

基板；

金属膜层，形成于所述基板上；所述金属膜层包括至少一层铝层；

其中，至少一层铝层被离子体蚀刻所形成的蚀刻表面覆盖有含铝离子晶体。

根据本发明一优选实施例，所述至少一层铝层的蚀刻表面为平整的平面。

根据本发明一优选实施例，所述含铝离子晶体为氟化铝。

根据本发明一优选实施例，所述金属膜层为钛铝钛层。