[发明专利]一种硅片位置信息采集系统以及方法

说明书

本发明提供了一种硅片位置信息采集系统以及方法，包括装置基板、分布在所述装置基板设置的多个测量模块、在所述装置基板设置的采集模块，所述测量模块用于测量硅片位置信息，所述采集模块用于采集所述硅片位置信息，所述多个测量模块通过多个导线连接所述采集模块，其中，所述测量模块为位置传感器，其通过机械手将其遍历硅片摆放位置的同时采集硅片位置信息，获得硅片位置与机械手位移的对应信息，并通过所述传输模块将硅片位置信息上传至上位系统内，机械手调整摆放硅片位置，完成硅片定位。本发明操作简单，使用方便，功能强大、定位准确、采集效率高，具有极大的商业价值。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，尤其是一种硅片位置信息采集系统以及方法。

背景技术

半导体集成电路是电子产品的核心器件，其产业技术的发展情况直接关系着电力工业的发展水平，可以说半导体产业的技术进步在一定程度上推动了新兴产业的发展。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

在先进的半导体集成电路制造过程中，包含了上百道对硅片加工的工序，如薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂，硅片需要在各种不同的工艺腔之间传输，例如薄膜沉积腔、刻蚀腔和清洗腔等。在各种工序的加工过程中，硅片通常需要被机械手放置在静电吸盘上的聚焦环内加以固定，而硅片能否准确放置在聚焦环中心会对后续加工造成很大影响，在等离子体刻蚀的步骤中，硅片与聚焦环之间的不同间隙使其电场分布不均匀，极易产生电弧打火现象，导致硅片和聚焦环的损坏，甚至破坏静电吸盘；在化学/物理气相沉积步骤中，如果硅片没有放置在预设位置或倾斜地放置，会导致硅片上沉积的薄膜厚度不均匀，影响器件性能；在光刻过程中，硅片的定位准确与否直接决定了光刻的成败，因此硅片位置准确与否的重要性不言而喻。

目前市场上对硅片进行定位通常采用光学法，美国的一个专利就揭露了一种硅片位置校准设备及方法，该专利用多个相机拍摄记录硅片边缘图像，比较分析并计算得到硅片的同心度，通过机械手修正硅片位置后再重复拍摄分析直至硅片移动到指定位置，此外现有的硅片定位方法都需要在硅片外部添加传感设备，且无法直接安装在加工工艺腔内，需要单独的定位测量腔，在其中经过校准之后再由机械手运送到加工工艺腔内，步骤繁琐，时间较长，效率低。

因此，目前市场上缺乏一种硅片位置信息采集装置、系统以及方法，通过机械手将其遍历硅片摆放位置的同时采集硅片位置信息，获得硅片位置与机械手位移的对应信息，完成硅片定位的信息采集装置，并没有一种设计简单、定位准确、采集效率高的位置信息采集装置，具体地，并没有一种硅片位置信息采集系统以及方法。

发明内容

针对现有技术存在的技术缺陷，本发明的目的是提供一种硅片位置信息采集系统以及方法，根据本发明的一个方面，提供了一种硅片位置信息采集装置，包括装置基板、分布在所述装置基板设置的多个测量模块、在所述装置基板设置的采集模块，所述测量模块用于测量硅片位置信息，所述采集模块用于采集所述硅片位置信息，所述多个测量模块通过多个导线连接所述采集模块，其中，所述测量模块为位置传感器。

优选地，所述测量模块贴合所述装置基板的边缘设置，所述测量模块设置在所述装置基板如下位置的任一种：

基板顶部；

基板底部；

基板侧面；或者

内嵌基板中。

优选地，所述测量模块为如下位置传感器中的任一种：

电磁式位置传感器；